上海微系统与信息技术研究所考研导师狄增峰介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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狄增峰 男 上海微系统与信息技术研究所
电子邮件：zfdi@mail.sim.ac.cn
通信地址：上海市长宁路865号8号楼605室
邮政编码：200050
研究领域
离子与固体相互作用，新型半导体材料，SOI材料与器件，微纳机构操控
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI材料与器件
教育背景
2001-09--2006-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕博连读
1997-09--2001-06 南京大学 本科
1997-09--2001-06 南京大学 本科
学历
学位
工作经历
工作简历
2010-09--2012-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员
2006-09--2010-08 美国 Los Alamos 国家实验室 博士后
2006-09--2010-08 美国 Los Alamos 国家实验室 博士后
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 全国优秀博士学位论文，一等奖，国家级，2008
（2） 中国科学院优秀博士学位论文，一等奖，部委级，2007
（3） 中国科学院院长奖特别奖，特等奖，部委级，2006
（2） 中国科学院优秀博士学位论文，一等奖，部委级，2007
（3） 中国科学院院长奖特别奖，特等奖，部委级，2006
专利成果
（1） 在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜，发明，2002，第4作者，专利号：01263468.9
（2） 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备技术，发明，2005，第1作者，专利号：200410066673.3
（2） 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备技术，发明，2005，第1作者，专利号：200410066673.3
出版信息
发表论文
（1） Tunable Helium bubble superlattice ordered by screw dislocation network，Physical Review B，2011，第1作者
（2） Aging control of organic thin film transistors via ion-implantation，Organic Electronics，2011，第5作者
（3） Origin of reverse annealing effect in hydrogen-implanted silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者
（4） Controlled drive-in and precipitation of hydrogen during plasma hydrogenation of silicon using a thin compressively strained SiGe layer， Applied Physics Letters，2010，第3作者
（5） Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者
（6） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage type，Journal of Applied Physics，2009，第1作者
（7） Strain relaxation of SiGe in a Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation，Applied Physics Letters，2009，第1作者
（2） Aging control of organic thin film transistors via ion-implantation，Organic Electronics，2011，第5作者
（3） Origin of reverse annealing effect in hydrogen-implanted silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者
（4） Controlled drive-in and precipitation of hydrogen during plasma hydrogenation of silicon using a thin compressively strained SiGe layer， Applied Physics Letters，2010，第3作者
（5） Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者
（6） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage type，Journal of Applied Physics，2009，第1作者
（7） Strain relaxation of SiGe in a Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation，Applied Physics Letters，2009，第1作者
发表著作
科研活动
科研项目
（1） 高迁移率III/V-OI 新型材料探索研究，主持，部委级，2012-01--2015-12
（2） 纳电子时代的高端SOI基材料，主持，部委级，2011-10--2014-09
（3） 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究，主持，市地级，2011-10--2013-09
（4） 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究，主持，部委级，2010-09--2013-09
（5） 22nm关键工艺技术先导研究与平台建设－新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发，主持，专项级，2009-01--2012-12
（2） 纳电子时代的高端SOI基材料，主持，部委级，2011-10--2014-09
（3） 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究，主持，市地级，2011-10--2013-09
（4） 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究，主持，部委级，2010-09--2013-09
（5） 22nm关键工艺技术先导研究与平台建设－新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发，主持，专项级，2009-01--2012-12
参与会议
（1） Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation，2009-04，Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, G. Bisognin, and M. Berti
（2） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage，2008-08，Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, Lin Shao, Jung-kun Lee, and N. David, Theodore
（2） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage，2008-08，Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, Lin Shao, Jung-kun Lee, and N. David, Theodore
合作情况
项目协作单位
指导学生
