中国科学院微电子研究所韩郑生 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-22 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程
085209-集成电路工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术
集成电路设计技术
集成电路设计技术
教育背景
1985-09--1988-06 西安交通大学 研究生毕业/工学硕士
1979-09--1983-06 西安交通大学 本科毕业/工学学士
1979-09--1983-06 西安交通大学 本科毕业/工学学士
学历
学位
工作经历
工作简历
1999-06~2000-06,香港科技大学, 访问学者
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
社会兼职
2013-09-01-2017-12-31,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 学术委员会委员
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事
教授课程
半导体工艺与制造技术
半导体制造技术
半导体制造技术
专利与奖励
奖励信息
（1） 抗辐照8kx8 SOI CMOS SRAM, 二等奖, 部委级, 2009
（2） 政府特殊津贴, , 国家级, 2007
（3） 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005
（4） 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
（2） 政府特殊津贴, , 国家级, 2007
（3） 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005
（4） 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
专利成果
（ 1 ） 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010251985.7
（ 2 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910305971.6
（ 3 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057921.6
（ 4 ） 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145101.X
（ 5 ） 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010531162.X
（ 6 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 7 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010531161.5
（ 8 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010217274.8
（ 9 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057936.2
（ 10 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810104230.7
（ 11 ） 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145308.7
（ 12 ） DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2
（ 13 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102339655B
（ 14 ） 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102522362B
（ 15 ） 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102903392B
（ 16 ） SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102982215B
（ 17 ） 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102903331B
（ 18 ） 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102866349B
（ 19 ） 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102437087B
（ 20 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102646147B
（ 21 ） SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102683416B
（ 22 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102708268B
（ 23 ） 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102593170B
（ 24 ） 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102244030B
（ 25 ） SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102789530B
（ 26 ） 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102738030B
（ 27 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102298655B
（ 28 ） 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102375896B
（ 29 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102495355B
（ 30 ） 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102306708B
（ 31 ） 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102394094B
（ 32 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102468332B
（ 33 ） 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102417300B
（ 34 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102236063B
（ 35 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102332467B
（ 36 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102054845B
（ 37 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102117797B
（ 38 ） 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101907719B
（ 39 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101964005B
（ 40 ） 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102118152B
（ 41 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101930051B
（ 42 ） 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101937091B
（ 43 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101276788B
（ 44 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101621009B
（ 45 ） 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101562188B
（ 46 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101635170B
（ 47 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101621064B
（ 48 ） 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101458337B
（ 49 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562140B
（ 50 ） 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515586B
（ 51 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562187B
（ 52 ） 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515588B
（ 53 ） 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100550118C
（ 54 ） 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN1178282C
（ 2 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910305971.6
（ 3 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057921.6
（ 4 ） 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145101.X
（ 5 ） 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010531162.X
（ 6 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 7 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010531161.5
（ 8 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010217274.8
（ 9 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057936.2
（ 10 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810104230.7
（ 11 ） 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145308.7
（ 12 ） DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2
（ 13 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102339655B
（ 14 ） 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102522362B
（ 15 ） 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102903392B
（ 16 ） SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102982215B
（ 17 ） 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102903331B
（ 18 ） 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102866349B
（ 19 ） 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102437087B
（ 20 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102646147B
（ 21 ） SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102683416B
（ 22 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102708268B
（ 23 ） 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102593170B
（ 24 ） 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102244030B
（ 25 ） SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102789530B
（ 26 ） 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102738030B
（ 27 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102298655B
（ 28 ） 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102375896B
（ 29 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102495355B
（ 30 ） 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102306708B
（ 31 ） 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102394094B
（ 32 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102468332B
（ 33 ） 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102417300B
（ 34 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102236063B
（ 35 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102332467B
（ 36 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102054845B
（ 37 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102117797B
（ 38 ） 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101907719B
（ 39 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101964005B
（ 40 ） 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102118152B
（ 41 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101930051B
（ 42 ） 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101937091B
（ 43 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101276788B
（ 44 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101621009B
（ 45 ） 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101562188B
（ 46 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101635170B
（ 47 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101621064B
（ 48 ） 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101458337B
（ 49 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562140B
（ 50 ） 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515586B
（ 51 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562187B
（ 52 ） 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515588B
（ 53 ） 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100550118C
（ 54 ） 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN1178282C
