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2015年 中科院 804半导体物理 考研真题
作者：科大科院考研网 发表时间：2018-08-12 来源：科大科院考研网
 

中科院804半导体物理考研真题及全套资料：804半导体物理

2015年 中科院 804半导体物理 考研真题

（科大科院考研网独家收集整理完整）

  • 名词解释
  1. 布里渊区
  2. 导带有效状态密度
  3. 载流子扩散
  4. 杂质补偿作用
  5. PN结势垒高度
  6. 金-半接触整流效应
  7. 杂质电离能
  8. 晶格振动散射
  9. MIS的开启电压
  10. 直接复合
  • 解释光磁电效应，作用机理、用途及其与霍尔效应的主要区别。

中科院804半导体物理考研真题及答案笔记

 

 

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