中国科学院微电子研究所考研导师白云介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-28 来源：研招办
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白云 女 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： baiyun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室
邮政编码： 100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程
085209-集成电路工程
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术
教育背景
2004-09--中国科学院上海技术物理研究所 博士
2001-09--河北师范大学 硕士
1996-09--河北师范大学 学位
2001-09--河北师范大学 硕士
1996-09--河北师范大学 学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110380662.2
（ 2 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5
（ 3 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3
（ 4 ） 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X
（ 5 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8
（ 6 ） 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X
（ 7 ） 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X
（ 8 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7
（ 9 ） 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9
（ 2 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5
（ 3 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3
（ 4 ） 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X
（ 5 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8
（ 6 ） 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X
（ 7 ） 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X
（ 8 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7
（ 9 ） 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9
