中国科学院微电子研究所考研导师毕津顺介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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毕津顺 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： bijinshun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：微电子重点实验室
研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
集成电路工程
教育背景
2017-08--2017-11 法国应用科学院 访问学者
2003-09--2008-06 中国科学院微电子研究所 博士学位
1999-09--2003-06 南开大学 学士学位
2003-09--2008-06 中国科学院微电子研究所 博士学位
1999-09--2003-06 南开大学 学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2017-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2017-05~2017-08,中国科学院微电子研究所, 研究员
2013-09~2017-04,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-05~2013-08,美国范德堡大学, 访问学者
2008-06~2012-05,中国科学院微电子研究所, 助理研究员/副研究员
2017-05~2017-08,中国科学院微电子研究所, 研究员
2013-09~2017-04,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-05~2013-08,美国范德堡大学, 访问学者
2008-06~2012-05,中国科学院微电子研究所, 助理研究员/副研究员
社会兼职
2017-02-21-2022-06-30,University of Saskatchewan兼职教授,
2014-01-01-今,中国科学院青年创新促进会成员,
2013-10-19-今,2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员,
2012-10-01-今,IEEE Member,
2012-04-01-今,国家自然基金项目评议专家,
2014-01-01-今,中国科学院青年创新促进会成员,
2013-10-19-今,2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员,
2012-10-01-今,IEEE Member,
2012-04-01-今,国家自然基金项目评议专家,
教授课程
TCAD仿真技术
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN200610112701
（ 2 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910244523
（ 3 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910089598
（ 4 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910308495
（ 5 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN200910305117
（ 6 ） 静电放电保护用可控硅结构, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN201120417128
（ 7 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN200810116043
（ 8 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN200810057936
（ 9 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN200810057921
（ 10 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN200910236718
（ 2 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910244523
（ 3 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910089598
（ 4 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN200910308495
（ 5 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN200910305117
（ 6 ） 静电放电保护用可控硅结构, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN201120417128
（ 7 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN200810116043
（ 8 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN200810057936
（ 9 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN200810057921
（ 10 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN200910236718
出版信息
发表论文
（1） Total Ionization Dose Effects on Charge-Trapping Memory With Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 1 作者
（2） Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者
（3） The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 3 作者
（4） Study ofγ-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS, Superlattices and Microstructures, 2018, 第 7 作者
（5） Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory, Applied Physics Letters, 2018, 通讯作者
（6） Total Ionizing Dose and Single Event Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory, Microelectronics Reliability, 2018, 第 1 作者
（7） The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2 kV SiC devices, Microelectronics Reliability, 2018, 第 3 作者
（8） Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者
（9） Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type Floating-Gate Flash memory, Chinese Physics B, 2018, 第 1 作者
（10） Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor, Science China Information Science, 2017, 通讯作者
（11） SEU reduction effectiveness of common centroid layout in differential latch at 130-nm CMOS technology, Microelectronics Reliability, 2017, 第 4 作者
（12） Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017, 第 3 作者
（13） 后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响, 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 第 1 作者
（14） Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive random access memory, Microelectronics Reliability, 2016, 通讯作者
（15） An RHBD Bandgap Reference Utilizing Single Event Transient Isolation Technique, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, 第 3 作者
（16） Influence of Edge Effects on Single Event Upset Susceptibility of SOI SRAM, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, 第 4 作者
（17） 0.18μm PDSOI CMOS电路单粒子瞬态特性研究, 物理学报, 2015, 通讯作者
（18） Characteristics of HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, 半导体学报, 2015, 第 1 作者
（19） 复杂数字电路中的单粒子效应建模综述, 微电子学, 2015, 通讯作者
（20） 极端低温下硅基器件和电路特性研究进展, 微电子学, 2015, 通讯作者
（21） Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET, Chinese Physics B, 2014, 第 1 作者
（22） An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 第 2 作者
（23） Hf/HfO2基双极阻变存储器研究, 功能材料与器件学报, 2014, 第 1 作者
（24） The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 第 1 作者
（25） 22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究, 物理学报, 2013, 第 1 作者
（26） Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs, 半导体学报, 2013, 第 1 作者
（27） Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（28） 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真, 核技术, 2012, 第 2 作者
（29） 深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究, 物理学报, 2011, 第 1 作者
（30） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, 半导体学报, 2011, 第 2 作者
（31） 基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究, 微电子学与计算机, 2011, 第 2 作者
（32） PDSOI DTMOS for analog and RF application, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
（33） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, 半导体学报 , 2010, 第 1 作者
（34） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, 半导体学报 , 2010, 第 2 作者
（35） SOI DTMOS温度特性研究, 半导体技术 , 2010, 第 1 作者
（36） 130nm PDSOI DTMOS体延迟研究, 半导体技术 , 2010, 第 1 作者
（37） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（38） Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, 半导体学报 , 2009, 第 3 作者
（39） PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 1 作者
（40） 新型部分耗尽SOI器件体接触结构, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（41） PD SOI MOSFET低频噪声研究进展, 微电子学, 2008, 第 2 作者
（42） Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（43） Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（44） 0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究, 半导体技术, 2007, 第 1 作者
（45） Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers, 半导体学报 , 2006, 第 2 作者
（46） Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（47） Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs, 半导体学报 , 2006, 第 3 作者
（48） SOI动态阈值MOS研究进展, 电子器件, 2005, 第 1 作者
（49） Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（50）
（2） Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者
（3） The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 3 作者
（4） Study ofγ-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS, Superlattices and Microstructures, 2018, 第 7 作者
（5） Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory, Applied Physics Letters, 2018, 通讯作者
（6） Total Ionizing Dose and Single Event Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory, Microelectronics Reliability, 2018, 第 1 作者
（7） The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2 kV SiC devices, Microelectronics Reliability, 2018, 第 3 作者
（8） Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者
（9） Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type Floating-Gate Flash memory, Chinese Physics B, 2018, 第 1 作者
（10） Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor, Science China Information Science, 2017, 通讯作者
（11） SEU reduction effectiveness of common centroid layout in differential latch at 130-nm CMOS technology, Microelectronics Reliability, 2017, 第 4 作者
（12） Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017, 第 3 作者
（13） 后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响, 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 第 1 作者
（14） Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive random access memory, Microelectronics Reliability, 2016, 通讯作者
（15） An RHBD Bandgap Reference Utilizing Single Event Transient Isolation Technique, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, 第 3 作者
（16） Influence of Edge Effects on Single Event Upset Susceptibility of SOI SRAM, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, 第 4 作者
（17） 0.18μm PDSOI CMOS电路单粒子瞬态特性研究, 物理学报, 2015, 通讯作者
（18） Characteristics of HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, 半导体学报, 2015, 第 1 作者
（19） 复杂数字电路中的单粒子效应建模综述, 微电子学, 2015, 通讯作者
（20） 极端低温下硅基器件和电路特性研究进展, 微电子学, 2015, 通讯作者
（21） Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET, Chinese Physics B, 2014, 第 1 作者
（22） An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 第 2 作者
（23） Hf/HfO2基双极阻变存储器研究, 功能材料与器件学报, 2014, 第 1 作者
（24） The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 第 1 作者
（25） 22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究, 物理学报, 2013, 第 1 作者
（26） Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs, 半导体学报, 2013, 第 1 作者
（27） Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（28） 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真, 核技术, 2012, 第 2 作者
（29） 深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究, 物理学报, 2011, 第 1 作者
（30） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, 半导体学报, 2011, 第 2 作者
（31） 基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究, 微电子学与计算机, 2011, 第 2 作者
（32） PDSOI DTMOS for analog and RF application, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
（33） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, 半导体学报 , 2010, 第 1 作者
（34） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, 半导体学报 , 2010, 第 2 作者
（35） SOI DTMOS温度特性研究, 半导体技术 , 2010, 第 1 作者
（36） 130nm PDSOI DTMOS体延迟研究, 半导体技术 , 2010, 第 1 作者
（37） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（38） Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, 半导体学报 , 2009, 第 3 作者
（39） PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 1 作者
（40） 新型部分耗尽SOI器件体接触结构, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（41） PD SOI MOSFET低频噪声研究进展, 微电子学, 2008, 第 2 作者
（42） Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（43） Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（44） 0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究, 半导体技术, 2007, 第 1 作者
（45） Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers, 半导体学报 , 2006, 第 2 作者
（46） Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（47） Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs, 半导体学报 , 2006, 第 3 作者
（48） SOI动态阈值MOS研究进展, 电子器件, 2005, 第 1 作者
（49） Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（50）
发表著作
（1） 现代电子系统软错误, 电子工业出版社, 2016-07, 第 2 作者
（2） 现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应, 电子工业出版社, 2018-11, 第 1 作者
（2） 现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应, 电子工业出版社, 2018-11, 第 1 作者
