中国科学院上海微系统与信息技术研究所考研导师蔡道林介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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导师介绍：
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
微电子技术
教育背景
学历
学位
工作经历
工作简历
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7
（ 2 ） 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963
（ 3 ） 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X
（ 4 ） 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9
（ 5 ） 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3
（ 6 ） 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A
（ 7 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198
（ 2 ） 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963
（ 3 ） 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X
（ 4 ） 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9
（ 5 ） 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3
（ 6 ） 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A
（ 7 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198
出版信息
发表论文
（1） The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者
（2） Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者
（3） Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者
（4） Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者
（2） Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者
（3） Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者
（4） Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者
