中国科学院宁波材料技术与工程研究所考研导师戴明志介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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戴明志 女 硕导 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件： daimz@nimte.ac.cn
通信地址： 中国浙江省宁波市镇海区中官西路1219号E815
邮政编码： 315201
研究领域
纳米电子学
光电子学
器件和电路物理、模拟、表征、设计与工艺
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
纳米电子学
教育背景
2003-07--2008-07 上海微系统与信息技术研究所 博士
1999-09--2003-06 复旦大学 本科
1999-09--2003-06 复旦大学 本科
学历
学位
工作经历
2010-Present Associate Professor in CAS (National Natural Science Foundation Grant No. 61106090, 61574147)
2013-2014 Visitng Scholar in University of Cambridge
2009-2010 Visitng Researcher in Yale University
工作简历
2010-08~现在, 宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2009-06~2010-05,耶鲁大学电子工程系, 访问学者
2009-06~2010-05,耶鲁大学电子工程系, 访问学者
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文
（1） A Direct Method to Extract Transient Sub-Gap Density of State (DOS) Based on Dual Gate Pulse Spectroscopy., Scientific Reports, 2016, 通讯作者
（2） Logic Circuit Function Realization by One Transistor, Nano Letters, 2012, 第 1 作者
（3） Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature, Applied Physics Letters, 2011, 第 1 作者
（4） Density-of-State and Trap Modeling of Oxide-Based Electric-Double-Layer TFTs, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 1 作者
（5） Modeling of Self-Assembled Inorganic Oxide Semiconductor Based-Electric-Double-Layer Thin Film Transistors, Applied Physics Letters, 2011, 第 1 作者
（2） Logic Circuit Function Realization by One Transistor, Nano Letters, 2012, 第 1 作者
（3） Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature, Applied Physics Letters, 2011, 第 1 作者
（4） Density-of-State and Trap Modeling of Oxide-Based Electric-Double-Layer TFTs, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 1 作者
（5） Modeling of Self-Assembled Inorganic Oxide Semiconductor Based-Electric-Double-Layer Thin Film Transistors, Applied Physics Letters, 2011, 第 1 作者
发表著作
科研活动
参与会议
（1） Bias Instability Study of Low-Voltage Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors，2011-07，Mingzhi Dai
合作情况
项目协作单位
指导学生
