中国科学院半导体研究所考研导师邓惠雄介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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邓惠雄 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： hxdeng@semi.ac.cn
通信地址： 半导体所2号楼501
邮政编码： 100086
部门/实验室：超晶格国家重点实验室
研究领域
招生信息
招生专业
070205-凝聚态物理
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
半导体材料理论计算、物性探究与设计，半导体缺陷物理
教育背景
2005-09--2010-12 中国科学院半导体所 理学博士
学历
学位
工作经历
工作简历
2015-01~2015-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2014-02~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2011-04~2014-01,美国再生能源国家实验室, 博士后
2011-01~2011-04,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-12,中国科学院半导体所, 理学博士
2014-02~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2011-04~2014-01,美国再生能源国家实验室, 博士后
2011-01~2011-04,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-12,中国科学院半导体所, 理学博士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文
（1） -Atomic-Ordering-Induced Quantum Phase Transition between Topological Crystalline Insulator and Z 2 Topological Insulator, Chinese Physics Letters, 2018, 第 1 作者
（2） Comment on ``Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors', Physical Review Letters, 2018, 第 1 作者
（3） Highly polarization sensitive photodetectors based on quasi-1D titanium trisulfide (TiS 3 ), Nanotechnology, 2018, 第 6 作者
（4） Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band, Applied Physics Letters, 2018, 第 7 作者
（5） Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3xBr3(1-x) and CsPbBr3xI3(1-x), Applied Physics Letters, 2017, 第 3 作者
（6） Light induced double ‘on’ state anti-ambipolar behavior and self-driven photoswitching in p-WSe 2 /n-SnS 2 heterostructures, 2D Materials, 2017, 第 6 作者
（7） Earth-Abundant and Non-Toxic SiX (X = S, Se) Monolayers as Highly Efficient Thermoelectric Materials, The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 第 3 作者
（8） Composition-tunable 2D SnSe2(1−x)S2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics, J. Mater. Chem. C, 2017, 第 7 作者
（9） Stable 6%-efficient Sb2Se3 solar cells with a ZnO buffer layer, Nature Energy, 2017, 第 5 作者
（10） Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell, Appl. Phys. Lett., 2016, 第 3 作者
（11） Origin of the Distinct Diffusion Behaviors of Cu and Ag in Covalent and Ionic Semiconductors, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2016, 第 1 作者
（12） Wavelength dependent UV-Vis photodetectors from SnS2 flakes, RSC Adv., 2016, 第 4 作者
（13） Tailoring the interfacial exchange coupling of perpendicularly magnetized Co/L10-Mn1.5Ga bilayers, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 11 作者
（14） Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces., Phys. Rev. B, 2015, 第 1 作者
（15） Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. , Comput. Mater. Sci., 2015, 第 1 作者
（16） Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
（17） Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
（18） The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-IV tellurides, npj Computational Materials, 2015, 第 2 作者
（19） Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys., Phys. Rev. B, 2014, 第 11 作者
（20） Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene, Phys. Rev. X, 2014, 第 2 作者
（21） Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors, Phys. Rev. B, 2013, 第 1 作者
（22） Origin of Reduced Efficiency in Cu(In,Ga)Se _2 Solar Cells With High Ga Concentration: Alloy Solubility Versus Intrinsic Defects, EEE Journal of Photovoltaics , 2013, 第 3 作者
（23） First-principles study of magnetic properties in Mo-doped graphene, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , 2013, 第 2 作者
（24） Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures., Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
（25） Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs, Phys. Rev. B, 2010, 第 1 作者
（26） Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study , Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（27） Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots., J. Phys. Chem. C, 2010, 第 1 作者
（28） Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods, J. Appl. Phys., 2009, 第 2 作者
（29） Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors., J. Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
（30） A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 第 2 作者
（31）
（2） Comment on ``Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors', Physical Review Letters, 2018, 第 1 作者
（3） Highly polarization sensitive photodetectors based on quasi-1D titanium trisulfide (TiS 3 ), Nanotechnology, 2018, 第 6 作者
（4） Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band, Applied Physics Letters, 2018, 第 7 作者
（5） Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3xBr3(1-x) and CsPbBr3xI3(1-x), Applied Physics Letters, 2017, 第 3 作者
（6） Light induced double ‘on’ state anti-ambipolar behavior and self-driven photoswitching in p-WSe 2 /n-SnS 2 heterostructures, 2D Materials, 2017, 第 6 作者
（7） Earth-Abundant and Non-Toxic SiX (X = S, Se) Monolayers as Highly Efficient Thermoelectric Materials, The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 第 3 作者
（8） Composition-tunable 2D SnSe2(1−x)S2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics, J. Mater. Chem. C, 2017, 第 7 作者
（9） Stable 6%-efficient Sb2Se3 solar cells with a ZnO buffer layer, Nature Energy, 2017, 第 5 作者
（10） Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell, Appl. Phys. Lett., 2016, 第 3 作者
（11） Origin of the Distinct Diffusion Behaviors of Cu and Ag in Covalent and Ionic Semiconductors, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2016, 第 1 作者
（12） Wavelength dependent UV-Vis photodetectors from SnS2 flakes, RSC Adv., 2016, 第 4 作者
（13） Tailoring the interfacial exchange coupling of perpendicularly magnetized Co/L10-Mn1.5Ga bilayers, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 11 作者
（14） Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces., Phys. Rev. B, 2015, 第 1 作者
（15） Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. , Comput. Mater. Sci., 2015, 第 1 作者
（16） Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
（17） Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
（18） The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-IV tellurides, npj Computational Materials, 2015, 第 2 作者
（19） Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys., Phys. Rev. B, 2014, 第 11 作者
（20） Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene, Phys. Rev. X, 2014, 第 2 作者
（21） Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors, Phys. Rev. B, 2013, 第 1 作者
（22） Origin of Reduced Efficiency in Cu(In,Ga)Se _2 Solar Cells With High Ga Concentration: Alloy Solubility Versus Intrinsic Defects, EEE Journal of Photovoltaics , 2013, 第 3 作者
（23） First-principles study of magnetic properties in Mo-doped graphene, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , 2013, 第 2 作者
（24） Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures., Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
（25） Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs, Phys. Rev. B, 2010, 第 1 作者
（26） Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study , Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（27） Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots., J. Phys. Chem. C, 2010, 第 1 作者
（28） Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods, J. Appl. Phys., 2009, 第 2 作者
（29） Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors., J. Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
（30） A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 第 2 作者
（31）
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 2 ） 环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-06
（ 3 ） 透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
（ 4 ） 透明导电体的物理机理研究与新材料设计, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 中国科学院青年创新促进会会员, 主持, 部委级, 2017-06--2020-12
（ 6 ） 温度引起的半导体能带结构和输运性质的 重整化：电-声子相互作用效应, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
（ 2 ） 环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-06
（ 3 ） 透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
（ 4 ） 透明导电体的物理机理研究与新材料设计, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 中国科学院青年创新促进会会员, 主持, 部委级, 2017-06--2020-12
（ 6 ） 温度引起的半导体能带结构和输运性质的 重整化：电-声子相互作用效应, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
