中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所考研导师董建荣介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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董建荣 男 博导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： jrdong2007@sinano.ac.cn
通信地址： 江苏省苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码： 215123
部门/实验室：纳米器件及相关材料研究部
研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体太阳电池，半导体激光器，化合物半导体材料生长及表征
工作经历
工作简历
2008-01~现在, 中科院苏州纳米所, 研究员
1997-09~2008-01,新加坡科研局材料研究院, Research Associate/Research Scientist
1996-03~1997-08,中科院半导体所, 助理研究员
1992-09~1996-01,中科院半导体所, 博士
1989-09~1992-04,西安电子科技大学, 硕士
1985-09~1989-04,西安电子科技大学, 学士
1997-09~2008-01,新加坡科研局材料研究院, Research Associate/Research Scientist
1996-03~1997-08,中科院半导体所, 助理研究员
1992-09~1996-01,中科院半导体所, 博士
1989-09~1992-04,西安电子科技大学, 硕士
1985-09~1989-04,西安电子科技大学, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201110083015.5
（ 2 ） 基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201110082967.5
（ 3 ） Method For Forming A Modified Semiconductor Having A Plurality Of Band Gaps, 2007, 第 3 作者, 专利号: US7223623B2
（ 4 ） 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010165596.2
（ 5 ） Method of forming gallium arsenide on insulator, 2011, 第 3 作者, 专利号: SG155143
（ 6 ） 一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010520212.4
（ 7 ） 基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200910027565.8
（ 8 ） GaInP-GaAs-InGaAsP-InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201110235554.6
（ 9 ） 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: ZL 201110198260.0.
（ 10 ） GaInP/GaAs/ Ge三结级联太阳能电池及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201210249554.6
（ 2 ） 基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201110082967.5
（ 3 ） Method For Forming A Modified Semiconductor Having A Plurality Of Band Gaps, 2007, 第 3 作者, 专利号: US7223623B2
（ 4 ） 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010165596.2
（ 5 ） Method of forming gallium arsenide on insulator, 2011, 第 3 作者, 专利号: SG155143
（ 6 ） 一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010520212.4
（ 7 ） 基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200910027565.8
（ 8 ） GaInP-GaAs-InGaAsP-InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201110235554.6
（ 9 ） 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: ZL 201110198260.0.
（ 10 ） GaInP/GaAs/ Ge三结级联太阳能电池及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201210249554.6
出版信息
发表论文
（1） Effects of leakage current on the short circuit current in the dual-junction solar cells, Optical and Quantum Electronics, 2015, 第 3 作者
（2） Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates, Appl. Surf. Sci., 2014, 第 2 作者
（3） Effects of substrate miscut on threading dislocation distribution in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers, Journal of Materials Science: Materials in Electronics , 2014, 第 3 作者
（4） The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A, Journal of Alloys and Compounds , 2014, 第 3 作者
（5） Effects of substrate miscut on the quality of In0.3Ga0.7As layers grown on metamorphic (Al)GaInP buffers by metalorganic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Express, 2013, 第 3 作者
（6） Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al)GaInP buffers, J. Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（7） Effects of temperature and substrate miscut on the crystalline quality of metamorphic AlInAs layers grown on GaAs substrate, J. Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（8） Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（9） Effect of High-Temperature Pregrowth Treatment on the Surface Morphology of GaInP Epilayers on Ge Grown by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., 2012, 第 3 作者
（10） Absorption enhancement analysis of crystalline Si thin film solar cells based on broadband antireflection nanocone grating, J. Appl. Phys. , 2011, 第 3 作者
（11） Light-splitting photovoltaic system utilizing two dual-junction solar cell, Solar Energy, 2010, 第 3 作者
（12） Structural and optical properties of GaInP grown on Germanium by metal-organic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 3 作者
（13） Anisotropic optical response of InAs/InP quantum dot avalanche photodiodes, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 2 作者
（14） Effects of AlAs interfacial layer on material and optical properties of GaAs/Ge (100) epitaxy, Appl. Phys. Lett. , 2008, 第 2 作者
（15） Complex-Coupled DFB Laser Using a Buried SiO2 Grating, IEEE Photo. Tech. Lett., 2008, 第 3 作者
（16） Distributed Bragg reflector laser using buried SiO2 grating and self-aligned band gap tuning, Appl Phys. Lett., 2007, 第 2 作者
（17） Ultra-wide band quantum dot light emitting device by post-fabrication laser annealing, Appl. Phys. Lett., 2007, 第 3 作者
（18） MOCVD growth of 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers with TBAs, J. Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（19） InGaAsP/GaInP/AlGaInP 800nm QW lasers grown by MOCVD using TBP and TBAs, J. Crystal Growth, 2005, 第 1 作者
（20） Continuous-wave operation of AlGaInP/GaInP quantum-well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylphosphine, J. Appl. Phys., 2004, 第 1 作者
（21） 650-nm AlGaInP mutiple-quantum-well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylphosphine, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 1 作者
（2） Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates, Appl. Surf. Sci., 2014, 第 2 作者
（3） Effects of substrate miscut on threading dislocation distribution in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers, Journal of Materials Science: Materials in Electronics , 2014, 第 3 作者
（4） The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A, Journal of Alloys and Compounds , 2014, 第 3 作者
（5） Effects of substrate miscut on the quality of In0.3Ga0.7As layers grown on metamorphic (Al)GaInP buffers by metalorganic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Express, 2013, 第 3 作者
（6） Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al)GaInP buffers, J. Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（7） Effects of temperature and substrate miscut on the crystalline quality of metamorphic AlInAs layers grown on GaAs substrate, J. Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（8） Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 3 作者
（9） Effect of High-Temperature Pregrowth Treatment on the Surface Morphology of GaInP Epilayers on Ge Grown by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., 2012, 第 3 作者
（10） Absorption enhancement analysis of crystalline Si thin film solar cells based on broadband antireflection nanocone grating, J. Appl. Phys. , 2011, 第 3 作者
（11） Light-splitting photovoltaic system utilizing two dual-junction solar cell, Solar Energy, 2010, 第 3 作者
（12） Structural and optical properties of GaInP grown on Germanium by metal-organic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 3 作者
（13） Anisotropic optical response of InAs/InP quantum dot avalanche photodiodes, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 2 作者
（14） Effects of AlAs interfacial layer on material and optical properties of GaAs/Ge (100) epitaxy, Appl. Phys. Lett. , 2008, 第 2 作者
（15） Complex-Coupled DFB Laser Using a Buried SiO2 Grating, IEEE Photo. Tech. Lett., 2008, 第 3 作者
（16） Distributed Bragg reflector laser using buried SiO2 grating and self-aligned band gap tuning, Appl Phys. Lett., 2007, 第 2 作者
（17） Ultra-wide band quantum dot light emitting device by post-fabrication laser annealing, Appl. Phys. Lett., 2007, 第 3 作者
（18） MOCVD growth of 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers with TBAs, J. Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（19） InGaAsP/GaInP/AlGaInP 800nm QW lasers grown by MOCVD using TBP and TBAs, J. Crystal Growth, 2005, 第 1 作者
（20） Continuous-wave operation of AlGaInP/GaInP quantum-well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylphosphine, J. Appl. Phys., 2004, 第 1 作者
（21） 650-nm AlGaInP mutiple-quantum-well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylphosphine, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 晶格异变GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 四结太阳电池研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
（ 2 ） 用于铷原子钟的795nm单模垂直腔面发射激光器研究, 主持, 研究所（学校）, 2013-07--2015-06
（ 2 ） 用于铷原子钟的795nm单模垂直腔面发射激光器研究, 主持, 研究所（学校）, 2013-07--2015-06
参与会议
（1）High-efficiency multiple junction solar cells based on beam splitting J.R. Dong, S.L. Lu, Y.M. Zhao, T.F. Zhou, X.D. Zhang, R.X. Wang, K.L. Xiong, X.Y. Ren, W. He, and H. Yang 2011-06-27
合作情况
项目协作单位
指导学生
