中国科学院上海技术物理研究所导师陈建新介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-10-31 来源：研招办
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陈建新 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： jianxinchen@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体光电子，半导体材料，红外探测器
教育背景
1990-09--1995-07 中科院上海微系统与信息技术研究所 博士
1986-09--1990-07 浙江大学 学士
1986-09--1990-07 浙江大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历
2007-04~2009-09,美国普林斯顿大学, 研究教授
2001-11~2007-03,美国Bell实验室, 研究员
2000-06~2001-10,瑞士联邦工学院, 研究员
1995-07~2000-05,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-09~1995-07,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士
1986-09~1990-07,浙江大学, 学士
2001-11~2007-03,美国Bell实验室, 研究员
2000-06~2001-10,瑞士联邦工学院, 研究员
1995-07~2000-05,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-09~1995-07,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士
1986-09~1990-07,浙江大学, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） InP基OEIC结构的GSMB, 三等奖, 省级, 1999
（2） 几种不同波段的新型光电探测器, 三等奖, 院级, 1998
（3） 锑化镓、砷化镓和磷化铟基高质量, 三等奖, 国家级, 1997
（4） 超高速光电探测器, 三等奖, 院级, 1997
（5） MBE生长HBT用超薄多层异质, 二等奖, 院级, 1996
（6） 气态源分子束外延InP基及含磷, 三等奖, 院级, 1996
（2） 几种不同波段的新型光电探测器, 三等奖, 院级, 1998
（3） 锑化镓、砷化镓和磷化铟基高质量, 三等奖, 国家级, 1997
（4） 超高速光电探测器, 三等奖, 院级, 1997
（5） MBE生长HBT用超薄多层异质, 二等奖, 院级, 1996
（6） 气态源分子束外延InP基及含磷, 三等奖, 院级, 1996
专利成果
出版信息
发表论文
（1） Temperature-dependent photoluminescence of the InAs-based and GaSb-based type-II superlattices, Infrare Physics and Technology, 2018, 第 11 作者
（2） MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 11 作者
（3） Beryllium compensationdoped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 11 作者
（4） Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optical Express, 2017, 第 11 作者
（5） Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlatti, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 11 作者
（6） Studies on InAs/GaSb superlattice structural properties by high resolution X-ray diffraction, Journal of Vacuum Science and Technology, 2012, 第 11 作者
（7） Dark Current analysis of long wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors, Proc. Of SPIE, 2012, 第 11 作者
（8） The accurate measurement of carrier concentration in short period longwave InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates, Proc. of SPIE, 2012, 第 11 作者
（9） Novel quantum real-space transfer in semiconductor heterostructures, Proc. of SPIE, 2012, 第 11 作者
（10） 半导体的异质实空间转移, 固体电子学研究与进展, 2012, 第 11 作者
（11） GaSb基的InAs/GaSb II类超晶格背景载流子浓度的测量, 激光与红外, 2012, 第 11 作者
（12） 128X128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器, 红外与毫米波学报, 2012, 第 11 作者
（13） InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器, 激光与红外工程, 2012, 第 11 作者
（14） InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术, 红外与毫米波学报, 2011, 第 11 作者
（15） Two-dimensional broadband distributed feedback quantum cascade laser arrays, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 4 作者
（16） Strategies toward the realization of two demensional broadband and cohernt quantum cascade laser arrays, Optical Engineering, 2011, 第 11 作者
（17） Room temperature operation of 3.6um InGaAs/InAlAs quantum cascade laser sources based on intracavity second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 3 作者
（18） InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术, 激光与红外工程, 2011, 第 1 作者
（19） Broadband quantum cascade laser gain medium based on a continuous to band active region design, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 4 作者
（20） InGaAs/AlInAs 4.5um quantum cascade lasers grown by solid phosphorus molecular beam epitaxy, Journal of Vacuum Science and Technology, 2007, 第 1 作者
（21） Optimization of InP-based waveguide for high performance mid-infrared quantum cascade lasers, Physics of Semiconductors Pts. A aand B, 2007, 第 3 作者
（22） Surface roughness in sulfur ion-implanted InP with molecular beam epitaxy regrown double-heterojunction bipolar transistor layers, Appl. Phys. Lett., 2005, 第 4 作者
（23） Self-heating of submicormeter InP-InGaAs DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 2 作者
（24） Impact of intrabad relaxation on the performance of a quantum dot laser, IEEE J. of selected topics in quantum electronics, 2003, 第 2 作者
（25） Simultaneous two-state lasing in quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 2 作者
（26） Scaling quantum dot light-emitting diodes to submicrometer sizes, Appl. Phys. Lett., 2002, 第 2 作者
（27） Tuning InAs/GaAs quantum dot properties under stranski-Krastanov growth mode for 1.3um applications, J. Applied Phys. , 2002, 第 1 作者
（28） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（29） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（30） Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 2001, 第 1 作者
（31） Quasi CW-RT operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（32） Gas source growth of InP based microstructure: material growth, characterization and device application, Material Science and Technology, 2000, 第 1 作者
（2） MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 11 作者
（3） Beryllium compensationdoped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 11 作者
（4） Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optical Express, 2017, 第 11 作者
（5） Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlatti, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 11 作者
（6） Studies on InAs/GaSb superlattice structural properties by high resolution X-ray diffraction, Journal of Vacuum Science and Technology, 2012, 第 11 作者
（7） Dark Current analysis of long wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors, Proc. Of SPIE, 2012, 第 11 作者
（8） The accurate measurement of carrier concentration in short period longwave InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates, Proc. of SPIE, 2012, 第 11 作者
（9） Novel quantum real-space transfer in semiconductor heterostructures, Proc. of SPIE, 2012, 第 11 作者
（10） 半导体的异质实空间转移, 固体电子学研究与进展, 2012, 第 11 作者
（11） GaSb基的InAs/GaSb II类超晶格背景载流子浓度的测量, 激光与红外, 2012, 第 11 作者
（12） 128X128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器, 红外与毫米波学报, 2012, 第 11 作者
（13） InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器, 激光与红外工程, 2012, 第 11 作者
（14） InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术, 红外与毫米波学报, 2011, 第 11 作者
（15） Two-dimensional broadband distributed feedback quantum cascade laser arrays, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 4 作者
（16） Strategies toward the realization of two demensional broadband and cohernt quantum cascade laser arrays, Optical Engineering, 2011, 第 11 作者
（17） Room temperature operation of 3.6um InGaAs/InAlAs quantum cascade laser sources based on intracavity second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 3 作者
（18） InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术, 激光与红外工程, 2011, 第 1 作者
（19） Broadband quantum cascade laser gain medium based on a continuous to band active region design, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 4 作者
（20） InGaAs/AlInAs 4.5um quantum cascade lasers grown by solid phosphorus molecular beam epitaxy, Journal of Vacuum Science and Technology, 2007, 第 1 作者
（21） Optimization of InP-based waveguide for high performance mid-infrared quantum cascade lasers, Physics of Semiconductors Pts. A aand B, 2007, 第 3 作者
（22） Surface roughness in sulfur ion-implanted InP with molecular beam epitaxy regrown double-heterojunction bipolar transistor layers, Appl. Phys. Lett., 2005, 第 4 作者
（23） Self-heating of submicormeter InP-InGaAs DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 2 作者
（24） Impact of intrabad relaxation on the performance of a quantum dot laser, IEEE J. of selected topics in quantum electronics, 2003, 第 2 作者
（25） Simultaneous two-state lasing in quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 2 作者
（26） Scaling quantum dot light-emitting diodes to submicrometer sizes, Appl. Phys. Lett., 2002, 第 2 作者
（27） Tuning InAs/GaAs quantum dot properties under stranski-Krastanov growth mode for 1.3um applications, J. Applied Phys. , 2002, 第 1 作者
（28） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（29） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（30） Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 2001, 第 1 作者
（31） Quasi CW-RT operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（32） Gas source growth of InP based microstructure: material growth, characterization and device application, Material Science and Technology, 2000, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） InAs/GaSb II超晶格红外探测技术, 主持, 部委级, 2009-10--2014-10
（ 2 ） InAs/GaSb超晶格红外探测器研究, 主持, 部委级, 2012-01--2014-12
（ 3 ） HgCdTe长波红外焦平面器件研究, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 4 ） II超晶格红外探测器技术研究, 主持, 市地级, 2009-10--2012-12
（ 5 ） 超晶格长波焦平面技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 6 ） 量子实空间转移效应-理论与实践, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 7 ） 超晶格红外探测材料研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 8 ） 新型非制冷中波红外带间级联探测器研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
（ 2 ） InAs/GaSb超晶格红外探测器研究, 主持, 部委级, 2012-01--2014-12
（ 3 ） HgCdTe长波红外焦平面器件研究, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 4 ） II超晶格红外探测器技术研究, 主持, 市地级, 2009-10--2012-12
（ 5 ） 超晶格长波焦平面技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 6 ） 量子实空间转移效应-理论与实践, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 7 ） 超晶格红外探测材料研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 8 ） 新型非制冷中波红外带间级联探测器研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
参与会议
（1）II类超晶格红外焦平面研究 第8届全国激光技术与光电子学学术会议 陈建新 2013-03-19
（2）超晶格红外焦平面探测器研究进展 第17届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新 2012-11-07
（3）InAs/GaSb photodetectors grown by Molecular beam epitaxy 陈建新 2012-09-24
（4）MWIR and LWIR InAs/GaSb Infrared photodectors 陈建新 2012-09-04
（5）InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面材料与器件研究 第9届全国分子束外延学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2011-07-04
（6）InAs/GaSb type-II superlattice infrared photodetectors grown by molecular beam epitaxy Jianxin Chen, Qingqing Xu, Yi Zhou, Jupeng Jin, Chun Lin and Li He 2011-05-24
（7）InAs/GaSbII类超晶格红外探测器研究 第16届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2010-10-26
（8）基于量子子带跃迁的红外光电探测器 第9届全国光电技术学术交流会 陈建新，林春，何力 2010-05-29
（2）超晶格红外焦平面探测器研究进展 第17届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新 2012-11-07
（3）InAs/GaSb photodetectors grown by Molecular beam epitaxy 陈建新 2012-09-24
（4）MWIR and LWIR InAs/GaSb Infrared photodectors 陈建新 2012-09-04
（5）InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面材料与器件研究 第9届全国分子束外延学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2011-07-04
（6）InAs/GaSb type-II superlattice infrared photodetectors grown by molecular beam epitaxy Jianxin Chen, Qingqing Xu, Yi Zhou, Jupeng Jin, Chun Lin and Li He 2011-05-24
（7）InAs/GaSbII类超晶格红外探测器研究 第16届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2010-10-26
（8）基于量子子带跃迁的红外光电探测器 第9届全国光电技术学术交流会 陈建新，林春，何力 2010-05-29
合作情况
项目协作单位
指导学生
