中国科学院上海技术物理研究所导师陈熙仁介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-11-05 来源：研招办
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研究领域
红外光谱技术与系统、固体光谱学与半导体光电子物理
主要从事新型红外调制光谱技术和窄禁带半导体电子结构机理研究。发展多/变条件红外调制光致发光谱和光调制反射谱方法，数量级提升关键指标；实现用于窄禁带焦平面阵列纳米材料均匀性表征的中、远红外空间分辨红外调制光致发光扫描成像方法；开展窄禁带半导体薄膜、量子阱和纳米线等电子结构的红外光谱研究，在重要红外探测材料关键性能表征与瓶颈性难题破解方面发挥重要作用。发表Appl. Phys. Lett.、Nano Lett.、J. Appl. Phys.、Opt. Lett.等国际期刊研究论文30余篇，获授权发明专利2项。
当前主要研究兴趣包括基于傅立叶变换红外光谱仪的先进微区/磁光红外调制光谱方法探索与系统研制、窄禁带半导体与低维结构的多/变条件调制光谱分析与光电特性研究。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
070205-凝聚态物理
招生方向
红外光谱技术
红外光电子物理
半导体材料与器件物理
红外光电子物理
半导体材料与器件物理
教育背景
2010-08--2015-06 中国科学院上海技术物理研究所 博士
2006-09--2010-06 华南理工大学 学士
2006-09--2010-06 华南理工大学 学士
学历
博士研究生
学位
博士
工作经历
2017-10-- 中国科学院上海技术物理研究所 副研究员
2015-07--2017-09 中国科学院上海技术物理研究所 助理研究员
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） 快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310039046.X
（ 2 ） 二维分辨扫描成像红外调制光致发光光谱测试装置及方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201410120925.X
（ 3 ） 消除大气吸收干扰的红外光致发光光路系统和实验方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201611055866.8
（ 4 ） 磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN201810598278.1
（ 2 ） 二维分辨扫描成像红外调制光致发光光谱测试装置及方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201410120925.X
（ 3 ） 消除大气吸收干扰的红外光致发光光路系统和实验方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201611055866.8
（ 4 ） 磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN201810598278.1
出版信息
发表论文
（1） Bi-Induced Electron Concentration Enhancement Being Responsible for Photoluminescence Blueshift and Broadening in InAs Films, physica status solidi (b), 2019, 第 1 作者
（2） Bismuth-induced band-tail states in GaAsBi probed by photoluminescence, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 2 作者
（3） Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core-Shell Nanowires, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 2 作者
（4） Wavelength extension in GaSbBi quantum wells using delta-doping, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 3 作者
（5） Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（6） Molecular beam epitaxy growth and optical properties of high bismuth content GaSb1-xBix thin films, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 2 作者
（7） Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 2 作者
（8） Abnormal strain in suspended GeSn microstructures, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 第 3 作者
（9） Optically efficient InAsSb nanowires for silicon-based mid-wavelength infrared optoelectronics, Nanotechnology, 2017, 第 4 作者
（10） Midinfrared Photoluminescence up to 290 K Reveals Radiative Mechanisms and Substrate Doping-Type Effects of InAs Nanowires, Nano Lett., 2017, 第 1 作者
（11） Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 1 作者
（12） Novel Dilute Bismide, Epitaxy, Physical Properties and Device Application, crystals, 2017, 第 5 作者
（13） Novel type II InGaAs/GaAsBi quantum well for longer wavelength emission, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 3 作者
（14） Influence of Bi on morphology and optical properties of InAs QDs, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 3 作者
（15） Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes, AIP ADVANCES, 2017, 第 6 作者
（16） Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 3 作者
（17） GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence, J. Appl. Phys., 2016, 第 1 作者
（18） Photoinduced magnetization effect in a p-type Hg1−xMnxTe single crystal investigated by infrared photoluminescence, Phys. Rev. B, 2016, 第 3 作者
（19） Annealing effects on Cd0.96Zn0.04Te crystals with Te inclusions probed by photoluminescence spectroscopy, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 4 作者
（20） Above-Hg1−xCdxTe-bandgap photoluminescence and interfacial channels in Hg1−xCdxTe–CdTe heterostructure, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 5 作者
（21） Spin-glass state induced low field magnetization-step effect in a Hg1−xMnxTe single crystal, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 4 作者
（22） Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantumwell probed by photoluminescence, Journal of Luminescence, 2016, 第 6 作者
（23） Anomalous photoluminescence in InP1−xBi, Scientific Reports, 2016, 第 2 作者
（24） Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., 2016, 第 5 作者
（25） Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb, OPTICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（26） Photoluminescence probing of interface evolution with annealing in InGa(N)As/GaAs single quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 6 作者
（27） Influence of local magnetization on acceptor-bound complex state in Hg1-xMnxTe single crystals, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 4 作者
（28） Bismuth Effects on Electronic Levels in GaSb(Bi)/AlGaSb Quantum Wells Probed by Infrared Photoreflectance, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（29） Evolution of interfacial properties with annealing in InAs/GaSb superlattice probed by infrared photoluminescence, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 1 作者
（30） Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 1 作者
（2） Bismuth-induced band-tail states in GaAsBi probed by photoluminescence, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 2 作者
（3） Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core-Shell Nanowires, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 2 作者
（4） Wavelength extension in GaSbBi quantum wells using delta-doping, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 3 作者
（5） Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（6） Molecular beam epitaxy growth and optical properties of high bismuth content GaSb1-xBix thin films, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 2 作者
（7） Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 2 作者
（8） Abnormal strain in suspended GeSn microstructures, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 第 3 作者
（9） Optically efficient InAsSb nanowires for silicon-based mid-wavelength infrared optoelectronics, Nanotechnology, 2017, 第 4 作者
（10） Midinfrared Photoluminescence up to 290 K Reveals Radiative Mechanisms and Substrate Doping-Type Effects of InAs Nanowires, Nano Lett., 2017, 第 1 作者
（11） Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 1 作者
（12） Novel Dilute Bismide, Epitaxy, Physical Properties and Device Application, crystals, 2017, 第 5 作者
（13） Novel type II InGaAs/GaAsBi quantum well for longer wavelength emission, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 3 作者
（14） Influence of Bi on morphology and optical properties of InAs QDs, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 3 作者
（15） Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes, AIP ADVANCES, 2017, 第 6 作者
（16） Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 3 作者
（17） GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence, J. Appl. Phys., 2016, 第 1 作者
（18） Photoinduced magnetization effect in a p-type Hg1−xMnxTe single crystal investigated by infrared photoluminescence, Phys. Rev. B, 2016, 第 3 作者
（19） Annealing effects on Cd0.96Zn0.04Te crystals with Te inclusions probed by photoluminescence spectroscopy, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 4 作者
（20） Above-Hg1−xCdxTe-bandgap photoluminescence and interfacial channels in Hg1−xCdxTe–CdTe heterostructure, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 5 作者
（21） Spin-glass state induced low field magnetization-step effect in a Hg1−xMnxTe single crystal, Phys. Status Solidi B, 2016, 第 4 作者
（22） Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantumwell probed by photoluminescence, Journal of Luminescence, 2016, 第 6 作者
（23） Anomalous photoluminescence in InP1−xBi, Scientific Reports, 2016, 第 2 作者
（24） Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., 2016, 第 5 作者
（25） Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb, OPTICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（26） Photoluminescence probing of interface evolution with annealing in InGa(N)As/GaAs single quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 6 作者
（27） Influence of local magnetization on acceptor-bound complex state in Hg1-xMnxTe single crystals, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 4 作者
（28） Bismuth Effects on Electronic Levels in GaSb(Bi)/AlGaSb Quantum Wells Probed by Infrared Photoreflectance, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（29） Evolution of interfacial properties with annealing in InAs/GaSb superlattice probed by infrared photoluminescence, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 1 作者
（30） Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） InAsSb纳米线电子结构与载流子复合特性的红外调制光谱研究, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12
（ 2 ） GaSb基稀Bi半导体带边精细结构红外调制光谱研究, 主持, 省级, 2016-07--2019-06
（ 3 ） 应变调控锗量子点电子能带结构的红外调制光谱研究, 主持, 省级, 2018-06--2021-05
（ 4 ） InGaAs/GaAsBi量子阱能带及电子跃迁调控的光调制反射研究, 主持, 研究所（学校）, 2016-01--2017-12
（ 2 ） GaSb基稀Bi半导体带边精细结构红外调制光谱研究, 主持, 省级, 2016-07--2019-06
（ 3 ） 应变调控锗量子点电子能带结构的红外调制光谱研究, 主持, 省级, 2018-06--2021-05
（ 4 ） InGaAs/GaAsBi量子阱能带及电子跃迁调控的光调制反射研究, 主持, 研究所（学校）, 2016-01--2017-12
