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中国科学院上海微系统与信息技术研究所导师费璐

作者：科大科院考研网发表时间：2019-11-15 来源：研招办

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费璐男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所

电子邮件： lufei@mail.sim.ac.cn
通信地址：上海微系统所
邮政编码：

招生信息

招生专业

070205-凝聚态物理
080501-材料物理与化学
081701-化学工程

招生方向

半导体硅片材料
半导体材料工业制造
工业与工程控制和统计

教育背景

学历

学位

工作经历

工作简历

2016-12~现在, 上海新傲科技, SVP
2014-11~2016-11,上海微系统所, 研究员
1996-08~2014-10,MEMC, SunEdison，SunEdisonSemi, Fellow
1986-06~1989-08,复旦大学, 讲师

社会兼职

2016-12-31-2019-12-30,上海微系统所, 兼职研究员

教授课程

专利与奖励

奖励信息

专利成果

（ 1 ） Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects, 2001, 第 2 作者, 专利号: US6,284,039
（ 2 ） Epitaxial wafer substantially free of grown-in defects, 2003, 第 2 作者, 专利号: US6,565,649
（ 3 ） Single crystal silicon wafer having an epitaxial layer substantially free from grown-in defects, 2006, 第 2 作者, 专利号: US7,097,718
（ 4 ） Methods for monitoring the amount of contamination on imparted wafer during wafer processing, 2012, 第 2 作者, 专利号: US8,143,078
（ 5 ） Semiconductor wafers with reduced roll-off and bonded and unbonded SOI structures produced from same, 2012, 第 3 作者, 专利号: US8,330,245
（ 6 ） Methods for reducing the width of the unbonded region in SOI structures, 2013, 第 3 作者, 专利号: US8,440,541
（ 7 ） Methods for producing silicon on insulating structures having high resistivity in the handle wafer, 2012, 第 2 作者, 专利号: US20120238070A1

出版信息

发表论文

（1）改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究, 电子元件与材料, 2017, 第 4 作者
（2） Raido-Frequency Characteristics of Partical Dielectric Removal HR-SOI and TR-SOI Substrates, Chinese Physics Letters, 2017, 第 5 作者