中国科学院物理研究所 蔡建旺 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-11-20 来源：研招办
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研究领域
高稳定垂直易磁化薄膜的制备；
垂直易磁化薄膜的有效自旋极化度、自旋扩散长度和自旋非对称散射系数；
垂直易磁化自旋阀（隧道结）的巨磁电阻效应、自旋转移矩效应；
纳米磁性多层膜的磁交换耦合；
超高灵敏反常霍尔效应；
电场对磁各向异性的调控。
垂直易磁化薄膜的有效自旋极化度、自旋扩散长度和自旋非对称散射系数；
垂直易磁化自旋阀（隧道结）的巨磁电阻效应、自旋转移矩效应；
纳米磁性多层膜的磁交换耦合；
超高灵敏反常霍尔效应；
电场对磁各向异性的调控。
教育背景
学历
南京大学物理系 1984、9 --1988、7 本科毕业
南京大学物理系 1988、9 --1991、7 硕士研究生毕业
中科院物理研究所 1991、9 --1994、7 博士研究生毕业
出国学习工作
日本东北大学 1994、8 -- 1995、7 Research Associate
美国约翰.霍普金斯大学 1997、8 -- 1998、12 博士后
日本东北大学 1998、12 -- 2000、9 Research Associate
工作经历
工作简历
中科院物理研究所 1995 -- 1997 助研
中科院物理研究所 2000 -- 2001 副研
中科院物理研究所 2001 -- 至今 研究员
中科院物理研究所 2000 -- 2001 副研
中科院物理研究所 2001 -- 至今 研究员
专利与奖励
奖励信息
2000年 中国科学院“****”
专利成果
1. 一种铁磁／锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法 ZL02157977.6 （发明 ）
2. 一种铁磁／锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法 ZL200310118596.7 （发明 ）
近5年另有5项专利提交
2. 一种铁磁／锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法 ZL200310118596.7 （发明 ）
近5年另有5项专利提交
出版信息
发表论文
综述论文：
1. "磁电子学中的若干问题" 物理学进展 Vol.17, pp.119 - 149 (1997)
2. "磁电子学器件应用原理" 物理学进展 Vol.26, pp.180 - 227 (2006)
1. "磁电子学中的若干问题" 物理学进展 Vol.17, pp.119 - 149 (1997)
2. "磁电子学器件应用原理" 物理学进展 Vol.26, pp.180 - 227 (2006)
科研活动
科研项目
近5年完成或正进行国家基金委面上基金：
1. 新型超高密度纵向磁记录介质材料的制备、表征和磁性
2. 纳米氧化层原子扩散阻挡势垒的微结构与磁交换作用
3. 高奈耳温度有序相合金反铁磁薄膜对其相邻铁磁层钉扎作用的研究
4. 磁性多层膜反常霍尔效应的研究
另参与国家基金委重点项目、科技部863项目及973项目各一项
1. 新型超高密度纵向磁记录介质材料的制备、表征和磁性
2. 纳米氧化层原子扩散阻挡势垒的微结构与磁交换作用
3. 高奈耳温度有序相合金反铁磁薄膜对其相邻铁磁层钉扎作用的研究
4. 磁性多层膜反常霍尔效应的研究
另参与国家基金委重点项目、科技部863项目及973项目各一项
指导学生
吕琴丽 硕博连读研究生（博士阶段）
刘 涛 硕博连读研究生（博士阶段）
许 涌 硕博连读研究生（硕士阶段）
卢玉明 硕博连读研究生（硕士阶段）
