中国科学院物理研究所 郭丽伟 女 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-11-27 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
070205-凝聚态物理
085204-材料工程
070205-凝聚态物理
085204-材料工程
招生方向
iC基底上石墨烯生长和物性研究S
宽带隙半导体材料生长和物性研究
宽带隙半导体材料生长和物性研究
教育背景
1993-07--1996-06 中国科学院物理研究所 理学博士
1984-07--1987-06 辽宁大学物理系 理学硕士
1980-09--1984-06 辽宁大学物理系 理学学士
1984-07--1987-06 辽宁大学物理系 理学硕士
1980-09--1984-06 辽宁大学物理系 理学学士
学历
学位
工作经历
工作简历
2008-06~现在, 中国科学院物理研究所, 研究员
1998-04~1999-09,日本东北大学金属材料研究所, 助理研究员
1996-07~2008-05,中国科学院物理研究所, 副研究员
1993-07~1996-06,中国科学院物理研究所, 理学博士
1987-07~1993-06,辽宁大学物理系, 讲师
1984-07~1987-06,辽宁大学物理系, 理学硕士
1980-09~1984-06,辽宁大学物理系, 理学学士
1998-04~1999-09,日本东北大学金属材料研究所, 助理研究员
1996-07~2008-05,中国科学院物理研究所, 副研究员
1993-07~1996-06,中国科学院物理研究所, 理学博士
1987-07~1993-06,辽宁大学物理系, 讲师
1984-07~1987-06,辽宁大学物理系, 理学硕士
1980-09~1984-06,辽宁大学物理系, 理学学士
社会兼职
2015-12-31-2020-12-30,半导体学报, 编委
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 2015年新疆兵团科技进步一等奖, 一等奖, 部委级, 2015
（2） 2013年度中国科学院杰出科技成就集体奖, 部委级, 2013
（2） 2013年度中国科学院杰出科技成就集体奖, 部委级, 2013
专利成果
（ 1 ） 一种碳化硅的欧姆电极结构及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110366469.3
（ 2 ） SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110202795.0
（ 3 ） 一种硼掺杂石墨烯的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 2013105563111
（ 4 ） 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201410171889X
（ 5 ） 一种碳化硅表面处理方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2014100727196
（ 6 ） 紫外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410327756.7
（ 7 ） 一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯 PN 结的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2014103056723
（ 8 ） 一种响应波长可调的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410601733.0
（ 9 ） 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410602352.4
（ 10 ） 用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510071246.2
（ 11 ） 一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015101646557
（ 12 ） 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015105986280
（ 13 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015107365684
（ 14 ） 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016102984019
（ 15 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016103576229
（ 2 ） SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110202795.0
（ 3 ） 一种硼掺杂石墨烯的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 2013105563111
（ 4 ） 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201410171889X
（ 5 ） 一种碳化硅表面处理方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2014100727196
（ 6 ） 紫外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410327756.7
（ 7 ） 一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯 PN 结的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2014103056723
（ 8 ） 一种响应波长可调的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410601733.0
（ 9 ） 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410602352.4
（ 10 ） 用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510071246.2
（ 11 ） 一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015101646557
（ 12 ） 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015105986280
（ 13 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015107365684
（ 14 ） 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016102984019
（ 15 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016103576229
出版信息
发表论文
（1） An Effective Approach for the Identifi cation of Carrier Type and Local Inversion Doping in Graphene by Biased Atomic Force Microscopy, Adv. Electron. Mater, 2016, 第 11 作者
（2） A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide, Chin. Phys. B, 2016, 第 11 作者
（3） Field and temperature dependence of intrinsic diamagnetism in graphene: Theory and experiment, Phys. Rev., 2015, 第 11 作者
（4） Bipolar Carrier Transfer Channels in Epitaxial Graphene/SiC Core–Shell Heterojunction for Effi cient Photocatalytic Hydrogen Evolution, Adv. Mater., 2015, 第 11 作者
（5） The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001), J. Appl. Phys., 2014, 第 11 作者
（6） Fabrication of vertically aligned graphene sheets on SiC substrates, RSC ADVANCES, 2013, 第 11 作者
（7） Towards intrinsic magnetism of graphene sheets with irregular zigzag edges, SCIENTIFIC REPORTS, 2013, 第 11 作者
（8） 石墨烯覆盖的SiC粉末在光催化的应用, graphene covered SiC powder as advanced photocatalystic material, Appl. Phys. Lett. 100,023113, 2012, 第 11 作者
（9） Anharmonic phonon effects in Raman spectra of unsupported vertical graphene sheets, Phys. Rev. B83, 125430 , 2011, 第 2 作者
（10） Stable field electron emission of vertically standing graphene films, SMALL, 7, 450 , 2011, 第 3 作者
（11） Epitaxial graphene on 4H-SiC by pulsed electron irradiation, CHEMICAL COMMUNICATIONS, 46, 4917 , 2010, 第 11 作者
（12） Raman Spectrum of Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Pulsed Electron Irradiation , CHINESE PHYSICS LETTERS, 27, 046803 , 2010, 第 2 作者
（13） Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 21, 4641 , 2009, 第 2 作者
（14） Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer, APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 111913 , 2009, 第 11 作者
（15） Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 310, 3726 , 2008, 第 11 作者
（16） Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining AlN buffer and AlN/Al0.8Ga0.2N superlattices, ournal of Crystal Growth 310, 1088–1092 , 2008, 第 11 作者
（17） Observation of metallic indium clusters in thick InGaN layer grown by metal organic chemical vapor deposition,, Appl. Phys. Lett. 91, 172110 , 2007, 第 11 作者
（2） A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide, Chin. Phys. B, 2016, 第 11 作者
（3） Field and temperature dependence of intrinsic diamagnetism in graphene: Theory and experiment, Phys. Rev., 2015, 第 11 作者
（4） Bipolar Carrier Transfer Channels in Epitaxial Graphene/SiC Core–Shell Heterojunction for Effi cient Photocatalytic Hydrogen Evolution, Adv. Mater., 2015, 第 11 作者
（5） The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001), J. Appl. Phys., 2014, 第 11 作者
（6） Fabrication of vertically aligned graphene sheets on SiC substrates, RSC ADVANCES, 2013, 第 11 作者
（7） Towards intrinsic magnetism of graphene sheets with irregular zigzag edges, SCIENTIFIC REPORTS, 2013, 第 11 作者
（8） 石墨烯覆盖的SiC粉末在光催化的应用, graphene covered SiC powder as advanced photocatalystic material, Appl. Phys. Lett. 100,023113, 2012, 第 11 作者
（9） Anharmonic phonon effects in Raman spectra of unsupported vertical graphene sheets, Phys. Rev. B83, 125430 , 2011, 第 2 作者
（10） Stable field electron emission of vertically standing graphene films, SMALL, 7, 450 , 2011, 第 3 作者
（11） Epitaxial graphene on 4H-SiC by pulsed electron irradiation, CHEMICAL COMMUNICATIONS, 46, 4917 , 2010, 第 11 作者
（12） Raman Spectrum of Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Pulsed Electron Irradiation , CHINESE PHYSICS LETTERS, 27, 046803 , 2010, 第 2 作者
（13） Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 21, 4641 , 2009, 第 2 作者
（14） Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer, APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 111913 , 2009, 第 11 作者
（15） Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 310, 3726 , 2008, 第 11 作者
（16） Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining AlN buffer and AlN/Al0.8Ga0.2N superlattices, ournal of Crystal Growth 310, 1088–1092 , 2008, 第 11 作者
（17） Observation of metallic indium clusters in thick InGaN layer grown by metal organic chemical vapor deposition,, Appl. Phys. Lett. 91, 172110 , 2007, 第 11 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 石墨烯的可控制备、物性与器件研究, 参与, 国家级, 2011-01--2015-10
（ 2 ） 半导体照明用碳化硅单晶衬底的规模化制备, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 3 ） 自由站立石墨烯的制备和物理特性研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 4 ） 在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 5 ） 基于石墨烯的高灵敏紫外探测器, 主持, 研究所（学校）, 2015-06--2017-05
（ 2 ） 半导体照明用碳化硅单晶衬底的规模化制备, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 3 ） 自由站立石墨烯的制备和物理特性研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 4 ） 在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 5 ） 基于石墨烯的高灵敏紫外探测器, 主持, 研究所（学校）, 2015-06--2017-05
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
