中国科学院宁波材料技术与工程研究所 郭炜 男 硕导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-11-28 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体功能材料
光电器件
宽禁带半导体
光电器件
宽禁带半导体
教育背景
2010-09--2014-12 北卡州立大学 博士学位
2006-09--2010-06 上海交通大学 学士学位
2006-09--2010-06 上海交通大学 学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2016-02~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师
2010-09~2014-12,北卡州立大学, 博士学位
2006-09~2010-06,上海交通大学, 学士学位
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师
2010-09~2014-12,北卡州立大学, 博士学位
2006-09~2010-06,上海交通大学, 学士学位
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 宁波市镇海区2017年引进高层次人才创业项目, 市地级, 2017
专利成果
（ 1 ） AlGaN 基紫外LED 器件及其制备方法与应用, 2018, 第 2 作者, 专利号: 2018104323202
（ 2 ） 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1-mN 的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710245266.6
（ 3 ） 太阳能电池及其制造方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610343877.X
（ 2 ） 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1-mN 的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710245266.6
（ 3 ） 太阳能电池及其制造方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610343877.X
出版信息
发表论文
（1） Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates, Superlattices and Microstructures, 2019, 第 11 作者
（2） Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 11 作者
（3） Lateral-Polarity-Structure of AlGaN Quantum Wells: A Promising Approach for Enhancing the Ultraviolet Luminescence, Advanced Functional Materials, 2018, 第 1 作者
（4） Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
（5） Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-Organic heterostructures, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 第 11 作者
（6） Lateral Polarity Control of III-nitride Thin Film and Application in GaN Schottky Barrier Diode, Journal of Semiconductors, 2018, 第 11 作者
（7） GaN based UV-LEDs with Ni/Au Nanomeshes as Transparent p-type Electrode, Physica Status Solidi A, 2018, 第 11 作者
（8） Tuning photonic crystal fabrication by nanosphere lithography and surface treatment of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Materials & Design, 2018, 第 2 作者
（9） Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays, Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（10） Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, Nanoscale, 2017, 第 1 作者
（11） Polarity Control of GaN and Realization of GaN Schottky Barrier Diode Based on Lateral-Polarity-Structure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 第 11 作者
（2） Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 11 作者
（3） Lateral-Polarity-Structure of AlGaN Quantum Wells: A Promising Approach for Enhancing the Ultraviolet Luminescence, Advanced Functional Materials, 2018, 第 1 作者
（4） Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
（5） Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-Organic heterostructures, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 第 11 作者
（6） Lateral Polarity Control of III-nitride Thin Film and Application in GaN Schottky Barrier Diode, Journal of Semiconductors, 2018, 第 11 作者
（7） GaN based UV-LEDs with Ni/Au Nanomeshes as Transparent p-type Electrode, Physica Status Solidi A, 2018, 第 11 作者
（8） Tuning photonic crystal fabrication by nanosphere lithography and surface treatment of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Materials & Design, 2018, 第 2 作者
（9） Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays, Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（10） Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, Nanoscale, 2017, 第 1 作者
（11） Polarity Control of GaN and Realization of GaN Schottky Barrier Diode Based on Lateral-Polarity-Structure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 第 11 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
（ 2 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
（ 3 ） 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 主持, 市地级, 2017-09--2018-09
（ 2 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
（ 3 ） 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 主持, 市地级, 2017-09--2018-09
参与会议
（1）Interface control and light emission investigation on UV-LEDs with inversion domain boundaries 2017-11-01
（2）Lateral polarity structures of III-nitride thin film and applications in optoelectronic/electronic devices 2017-09-24
（2）Lateral polarity structures of III-nitride thin film and applications in optoelectronic/electronic devices 2017-09-24
合作情况
项目协作单位
指导学生
