上海技术物理研究所 胡晓宁 女 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-07 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外探测器物理与工艺
教育背景
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
工作经历
工作简历
2003-04--今 中科院上海技术物理所 研究员
2001-01--2003-04 中科院上海技术物理所 副研究员
1995-09--2001-01 中科院上海技术物理所 助研
1993-04--1995-09 中科院上海技术物理研究所 研实员
2001-01--2003-04 中科院上海技术物理所 副研究员
1995-09--2001-01 中科院上海技术物理所 助研
1993-04--1995-09 中科院上海技术物理研究所 研实员
社会兼职
2010-06--今 上海市女科学家联谊会理事
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） “2000元碲镉汞中波红外焦平面组件”，二等奖，省级，2006
（2） 60元长波碲镉汞探测器组件，二等奖，部委级，1998
（2） 60元长波碲镉汞探测器组件，二等奖，部委级，1998
专利成果
（1） 一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜植被方法，发明，2010，第3作者，专利号：201010198869.3
（2） 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片，发明，2006，第1作者，专利号：ZL200610148070.7
（3） 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片，发明，2007，第1作者，专利号：ZL 200710038664.7
（4） 用飞秒激光制备入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110071308.1
（2） 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片，发明，2006，第1作者，专利号：ZL200610148070.7
（3） 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片，发明，2007，第1作者，专利号：ZL 200710038664.7
（4） 用飞秒激光制备入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110071308.1
出版信息
发表论文
（1） Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究，Study of deep levels of HgCdTe diodes on Si substrates，物理学报，2011，第2作者
（2） Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究，Temperature-dependent characteristics of HgCdTe Variable-Area photovoltaic detectors on Si substrates，红外与毫米波学报，2011，第2作者
（2） Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究，Temperature-dependent characteristics of HgCdTe Variable-Area photovoltaic detectors on Si substrates，红外与毫米波学报，2011，第2作者
发表著作
科研活动
科研项目
（1） Si基碲镉汞红外焦平面器件，主持，国家级，2011-01--2014-06
（2） Si基长波碲镉汞材料以及长波焦平面器件验证技术，主持，国家级，2011-01--2015-12
（2） Si基长波碲镉汞材料以及长波焦平面器件验证技术，主持，国家级，2011-01--2015-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
已指导学生
郭靖 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
孙柏蔚 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
岳婷婷 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
刘斌 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
邓屹 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张姗 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
尹文婷 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
黄建 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
解晓辉 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
华桦 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
