长春光学精密机械与物理研究所 蒋红 女 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-14 来源：研招办
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研究领域
教育背景
1982-09--1986-06 吉林大学 理学学士
学历
学位
1986年于吉林大学电子科学系获理学学士学位
出国学习工作
工作经历
工作简历
1999-07--今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 研究员
1986-07--1999-07 中国科学院长春物理研究所 副研究员
1986-07--1999-07 中国科学院长春物理研究所 副研究员
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（1） 平板玻璃电真空显示器件的消气方法，发明，2009，第3作者，专利号：ZL 200510016553.7
（2） 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法，发明，2009，第4作者，专利号：ZL 2004 1 0011345.3
（2） 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法，发明，2009，第4作者，专利号：ZL 2004 1 0011345.3
出版信息
发表论文
（1） An optical anion chemosensor based on a europium complex and its molecular logic behavior，Dyes and Pigments，2013，通讯作者
（2） Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors，Appl.Phys.Lett.，2012，通讯作者
（3） Realization of a High-performancShort-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVDe GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement，Advanced MaterialsNanoscale Research Letters，2012，第5作者
（4） Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector，Appl.Phys.Lett.，2011，第5作者
（5） Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles，Nanoscale Research Letters，2011，第2作者
（6） Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method，Journal of Alloys and Compounds ，2011，第4作者
（7） Improved performace of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface，Appl.Phys.Lett.，2011，第3作者
（8） Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As/InP grown on InP substrate by LP-MOCVD，Applied Surface Science ，2011，第4作者
（9） Influence of buffer layer thickness and epilayer’s growth temperature on crystalline quality InAs0.6P0.4/InP grown by LP-MOCVD，Solid State Communications，2011，通讯作者
（10） 多层GaSb(QDs)/GaAs量子点生长中量子点的聚集及发光特性，发光学报，2010，通讯作者
（11） Aloetic-Shaped SiC Nanowires:Synthesis and Field Electron Emission Properties，Journal of Nanoscience and Nanotechnology，2010，通讯作者
（12） SiC/SiO2 core-shell nanowires with different shapes:Synthesis and field emission properties，Solid State Communications ，2010，通讯作者
（13） Thermal CVD synthesis and photoluminescence of SiC/SiO2 core-shell structure nanoparticles，Alloys and Compounds，2010，通讯作者
（14） Effect of epilayer’s growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/InP grown by two-step growth method，Journal of Alloys and Compounds ，2010，通讯作者
（15） 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究，真空科学与技术学报，2010，通讯作者
（2） Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors，Appl.Phys.Lett.，2012，通讯作者
（3） Realization of a High-performancShort-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVDe GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement，Advanced MaterialsNanoscale Research Letters，2012，第5作者
（4） Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector，Appl.Phys.Lett.，2011，第5作者
（5） Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles，Nanoscale Research Letters，2011，第2作者
（6） Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method，Journal of Alloys and Compounds ，2011，第4作者
（7） Improved performace of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface，Appl.Phys.Lett.，2011，第3作者
（8） Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As/InP grown on InP substrate by LP-MOCVD，Applied Surface Science ，2011，第4作者
（9） Influence of buffer layer thickness and epilayer’s growth temperature on crystalline quality InAs0.6P0.4/InP grown by LP-MOCVD，Solid State Communications，2011，通讯作者
（10） 多层GaSb(QDs)/GaAs量子点生长中量子点的聚集及发光特性，发光学报，2010，通讯作者
（11） Aloetic-Shaped SiC Nanowires:Synthesis and Field Electron Emission Properties，Journal of Nanoscience and Nanotechnology，2010，通讯作者
（12） SiC/SiO2 core-shell nanowires with different shapes:Synthesis and field emission properties，Solid State Communications ，2010，通讯作者
（13） Thermal CVD synthesis and photoluminescence of SiC/SiO2 core-shell structure nanoparticles，Alloys and Compounds，2010，通讯作者
（14） Effect of epilayer’s growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/InP grown by two-step growth method，Journal of Alloys and Compounds ，2010，通讯作者
（15） 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究，真空科学与技术学报，2010，通讯作者
发表著作
科研活动
科研项目
（1） 大尺寸氮化铝（AlN）晶体生长技术合作研究，主持，部委级，2012-07--2015-07
（2） 高In组分异质探测材料能带调控与功能增强新结构，参与，部委级，2012-01--2016-08
（3） GaN/InN(QD)量子点复合结构载流子倍增太阳能电池材料与器件研究，参与，部委级，2011-07--2013-12
（4） AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究，参与，部委级，2011-01--2013-12
（5） 深紫外LED外延生长及应用技术研究，参与，部委级，2011-01--2013-12
（6） InGaAs/InP异质结构纳米线的生长与表征研究，参与，部委级，2010-01--2012-12
（7） 显示器件光电特性与人对图像显示的视觉认知关联性及其器件应用的研究，主持，部委级，2010-01--2014-08
（8） 碳纳米管场发射电学接触及物理研究，主持，部委级，2009-01--2011-12
（2） 高In组分异质探测材料能带调控与功能增强新结构，参与，部委级，2012-01--2016-08
（3） GaN/InN(QD)量子点复合结构载流子倍增太阳能电池材料与器件研究，参与，部委级，2011-07--2013-12
（4） AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究，参与，部委级，2011-01--2013-12
（5） 深紫外LED外延生长及应用技术研究，参与，部委级，2011-01--2013-12
（6） InGaAs/InP异质结构纳米线的生长与表征研究，参与，部委级，2010-01--2012-12
（7） 显示器件光电特性与人对图像显示的视觉认知关联性及其器件应用的研究，主持，部委级，2010-01--2014-08
（8） 碳纳米管场发射电学接触及物理研究，主持，部委级，2009-01--2011-12
参与会议
（1） GaSb(QD)/GaAs堆垛量子点复合结构材料的电学性能研究，第十二届全国MOCVD学术会议，2012-04，蒋 红*，孙晓娟，黎大兵，宋 航，陈一仁，李志明，缪国庆
合作情况
项目协作单位
指导学生
已指导学生
施云冬 硕士研究生 070205-凝聚态物理
