中国科学院半导体研究所王启明 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-17 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
硅基光电子
教育背景
1952-09--1956-07 复旦大学 大学毕业
学历
学位
工作经历
工作简历
1985-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1960-09~1985-06,中国科学院半导体研究所, 助理研究员、副研究员
1956-07~1960-09,中国科学院应用物理研究所（物理所）, 实习研究员、助理研究员
1952-09~1956-07,复旦大学, 大学毕业
1960-09~1985-06,中国科学院半导体研究所, 助理研究员、副研究员
1956-07~1960-09,中国科学院应用物理研究所（物理所）, 实习研究员、助理研究员
1952-09~1956-07,复旦大学, 大学毕业
社会兼职
2000-09-24-今,中国光学学会, 常务理事
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 中国科学院研究生院杰出贡献教师奖, 院级, 2005
（2） 何梁何利奖, 其他, 1999
（3） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1988
（4） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1987
（5） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1986
（2） 何梁何利奖, 其他, 1999
（3） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1988
（4） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1987
（5） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1986
专利成果
（ 1 ） 硅基宽光谱探测器及制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510968014.7
（ 2 ） 单光子源器件的制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201410054031.5
（ 3 ） 硅基锗激光器及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201310342715.0
（ 2 ） 单光子源器件的制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201410054031.5
（ 3 ） 硅基锗激光器及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201310342715.0
出版信息
发表论文
（1） Ultrathin Broadband Germanium−Graphene Hybrid Photodetector with High Performance, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, 第 8 作者
（2） Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications, Superlattices & Microstructures, 2017, 第 7 作者
（3） Characterization of a Ge1−x−ySiySnx/Ge1−xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy, Optics Letters, 2017, 第 7 作者
（4） Defect-free high Sn-content GeSn on insulator grown by rapid melting growth, Scientific Reports, 2016, 第 9 作者
（5） GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy, Applied Physics Letters, 2016, 第 9 作者
（6） Influence of hydrogen on the properties of titanium doped hydrogenated amorphous silicon prepared by sputtering, Vacuum, 2016, 第 5 作者
（7） Characterization and thermal stability of GeSn/Ge multi-quantum wells on Ge (100) substrates, J. of Materials Science-Materials in Electronics, 2016, 第 7 作者
（8） Silicon Based GeSn p-i-n Photodetector for SWIR Detection, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 9 作者
（9） 光纤通信有源器件的发展现状, 电信科学, 2016, 第 1 作者
（10） Efficient 1.54-m emission through Eu2+ sensitization of Er3+ in thin films of Eu2+/Er3+ codoped barium strontium silicate under broad ultraviolet light excitation, Journal of Luminescence, 2015, 第 4 作者
（11） High performance silicon waveguide germanium photodetector, Chin. Phys. B, 2015, 第 4 作者
（12） Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation, AIP ADVANCES, 2015, 第 4 作者
（13） Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
（14） Structural and optical properties of (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ thin films grown by magnetron sputtering，Journal of Luminescence, Journal of Luminescence, 2014, 第 4 作者
（15） Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects, Chin. Phys. B, 2014, 第 4 作者
（16） Design of waveguide integrated Ge-quantum-well electro-absorption modulators, Chinese Physics Letter, 2011, 第 4 作者
（17） Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 第 4 作者
（18） GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection, Optics Express, 2011, 第 4 作者
（19） Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100), Chinese Physics B, 2011, 第 4 作者
（20） The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys, Solid State Communications, 2011, 第 4 作者
（21） Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者
（22） Efficient 1.53um emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer substrate, Materials Research Bulletin, 2011, 第 4 作者
（23） Highly efficient 1.53um luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate, Materials Letters, 2011, 第 4 作者
（24） Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 4 作者
（25） Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜, 物理学报, 2011, 第 4 作者
（2） Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications, Superlattices & Microstructures, 2017, 第 7 作者
（3） Characterization of a Ge1−x−ySiySnx/Ge1−xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy, Optics Letters, 2017, 第 7 作者
（4） Defect-free high Sn-content GeSn on insulator grown by rapid melting growth, Scientific Reports, 2016, 第 9 作者
（5） GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy, Applied Physics Letters, 2016, 第 9 作者
（6） Influence of hydrogen on the properties of titanium doped hydrogenated amorphous silicon prepared by sputtering, Vacuum, 2016, 第 5 作者
（7） Characterization and thermal stability of GeSn/Ge multi-quantum wells on Ge (100) substrates, J. of Materials Science-Materials in Electronics, 2016, 第 7 作者
（8） Silicon Based GeSn p-i-n Photodetector for SWIR Detection, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 9 作者
（9） 光纤通信有源器件的发展现状, 电信科学, 2016, 第 1 作者
（10） Efficient 1.54-
（11） High performance silicon waveguide germanium photodetector, Chin. Phys. B, 2015, 第 4 作者
（12） Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation, AIP ADVANCES, 2015, 第 4 作者
（13） Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, THIN SOLID FILMS, 2015, 第 4 作者
（14） Structural and optical properties of (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ thin films grown by magnetron sputtering，Journal of Luminescence, Journal of Luminescence, 2014, 第 4 作者
（15） Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects, Chin. Phys. B, 2014, 第 4 作者
（16） Design of waveguide integrated Ge-quantum-well electro-absorption modulators, Chinese Physics Letter, 2011, 第 4 作者
（17） Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 第 4 作者
（18） GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection, Optics Express, 2011, 第 4 作者
（19） Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100), Chinese Physics B, 2011, 第 4 作者
（20） The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys, Solid State Communications, 2011, 第 4 作者
（21） Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者
（22） Efficient 1.53um emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer substrate, Materials Research Bulletin, 2011, 第 4 作者
（23） Highly efficient 1.53um luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate, Materials Letters, 2011, 第 4 作者
（24） Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 4 作者
（25） Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜, 物理学报, 2011, 第 4 作者
发表著作
（ 1 ） 太阳电池发展现状及性能提升研究, 科学出版社, 2014-06, 第 1 作者
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