研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080901-物理电子学
招生方向
基于InP光电子器件的集成
半导体激光器
半导体激光器
教育背景
1955-09--1960-07 北京大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历
1955-09~1960-07,北京大学, 学士
社会兼职
教授课程
光子集成芯片材料与器件进展
光子芯片集成材料与器件进展
光子芯片集成材料与器件进展
专利与奖励
奖励信息
（1） 半导体光电子功能材料集成技术平台, 一等奖, 部委级, 2006
专利成果
（ 1 ） 可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210374777.5
（ 2 ） 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: ZL.200910078863.X
（ 3 ） 一种广谱吸收层黑硅太阳能电池结构及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: ZL201010113745.0
（ 4 ） 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210319231.X
（ 5 ） 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210154197.5
（ 6 ） 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: ZL 201110206037.6
（ 7 ） 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN201510348841.6
（ 8 ） 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410842021.8
（ 9 ） 制备硅基砷化镓材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201210032751.2
（ 10 ） 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201310176286.4
（ 11 ） 一种硅基III-V族nMOS的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201310068781.3
（ 12 ） 多波长激光器阵列芯片的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103311807B
（ 2 ） 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: ZL.200910078863.X
（ 3 ） 一种广谱吸收层黑硅太阳能电池结构及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: ZL201010113745.0
（ 4 ） 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210319231.X
（ 5 ） 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210154197.5
（ 6 ） 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: ZL 201110206037.6
（ 7 ） 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN201510348841.6
（ 8 ） 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410842021.8
（ 9 ） 制备硅基砷化镓材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201210032751.2
（ 10 ） 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201310176286.4
（ 11 ） 一种硅基III-V族nMOS的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL201310068781.3
（ 12 ） 多波长激光器阵列芯片的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103311807B
出版信息
发表论文
（1） EML Array fabricated by SAG technique monolithically integrated with a buried ridge AWG multiplexe, Opt. Laser Technol., 2017, 第 6 作者
（2） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, Opt. Express, 2017, 第 4 作者
（3） Widely Tunable Two-Section Directly Modulated DBR Lasers for TWDM-PON, Chinese Physics Letters, 2017, 第 5 作者
（4） Hybrid single-mode laser based on grapheneBragg gratings on silicon, Optics Letters, 2017, 第 10 作者
（5） Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD Having an Over 21 GHz Bandwidth under Zero Bias, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 8 作者
（6） Linearly Chirped Microwave Generation Using a Monolithic Integrated Amplified Feedback Laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 7 作者
（7） 1550-nm Evanescent Hybrid InGaAsP–Si Laser With Buried Ridge Stripe Structure, IEEE Photonics Technology Letters, 2016, 第 9 作者
（8） Simultaneous Wavelength- and Mode-Division (De)multiplexing for High-Capacity On-Chip Data Transmission Link., IEEE Photonics Journal, 2016, 第 7 作者
（9） Doping of Active Region in Long Wavelength InP Based Transistor Lasers, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 5 作者
（10） High current gain transistor laser, Scientific Reports, 2016, 第 4 作者
（11） A Directional-Emission 1060nm GaAs-InGaAs microcylinder laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2015, 第 4 作者
（12） Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge, IEEE Electron Device Letters, 2015, 第 11 作者
（13） Two-mode de/multiplexer based on multimode interference couplers with a tilted joint as phase shifter, Optics Letters, 2015, 第 4 作者
（14） 1.82-μm Distributed Feedback Lasers with InGaAs/InGaAsP Multiple-Quantum Wells for H2O sensing system, Chinese Optics Letters, 2012, 第 11 作者
（15） Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser With ITO as Cathode and Light-Coupling Material, IEEE Phothnics Technology Letters, 2012, 第 11 作者
（16） Detailed Analysis of a 40 GHz All-Optical Synchronization based on an Amplified-Feedback DFB Laser, Applied Optics, 2012, 第 11 作者
（2） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, Opt. Express, 2017, 第 4 作者
（3） Widely Tunable Two-Section Directly Modulated DBR Lasers for TWDM-PON, Chinese Physics Letters, 2017, 第 5 作者
（4） Hybrid single-mode laser based on grapheneBragg gratings on silicon, Optics Letters, 2017, 第 10 作者
（5） Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD Having an Over 21 GHz Bandwidth under Zero Bias, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 8 作者
（6） Linearly Chirped Microwave Generation Using a Monolithic Integrated Amplified Feedback Laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 7 作者
（7） 1550-nm Evanescent Hybrid InGaAsP–Si Laser With Buried Ridge Stripe Structure, IEEE Photonics Technology Letters, 2016, 第 9 作者
（8） Simultaneous Wavelength- and Mode-Division (De)multiplexing for High-Capacity On-Chip Data Transmission Link., IEEE Photonics Journal, 2016, 第 7 作者
（9） Doping of Active Region in Long Wavelength InP Based Transistor Lasers, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 5 作者
（10） High current gain transistor laser, Scientific Reports, 2016, 第 4 作者
（11） A Directional-Emission 1060nm GaAs-InGaAs microcylinder laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2015, 第 4 作者
（12） Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge, IEEE Electron Device Letters, 2015, 第 11 作者
（13） Two-mode de/multiplexer based on multimode interference couplers with a tilted joint as phase shifter, Optics Letters, 2015, 第 4 作者
（14） 1.82-μm Distributed Feedback Lasers with InGaAs/InGaAsP Multiple-Quantum Wells for H2O sensing system, Chinese Optics Letters, 2012, 第 11 作者
（15） Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser With ITO as Cathode and Light-Coupling Material, IEEE Phothnics Technology Letters, 2012, 第 11 作者
（16） Detailed Analysis of a 40 GHz All-Optical Synchronization based on an Amplified-Feedback DFB Laser, Applied Optics, 2012, 第 11 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 面向规模集成的硅基激光器, 主持, 部委级, 2017-06--2021-05
