研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI材料与器件，高端硅基材料
教育背景
1990-06--1993-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士学位
1987-09--1990-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕士学位
1983-09--1987-06 清华大学 学士学位
1987-09--1990-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕士学位
1983-09--1987-06 清华大学 学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2010-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 所长
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心, “洪堡”学者
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院, 访问学者
1993-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学, 学士学位
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心, “洪堡”学者
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院, 访问学者
1993-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学, 学士学位
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 上海市科技功臣奖, 省级, 2017
（2） 何梁何利基金科学与技术进步奖, , 其他, 2008
（3） 中国科学院杰出科技成就奖, , 院级, 2007
（4） 国家科学技术进步奖, 一等奖, 国家级, 2006
（5） 上海市科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2005
（6） 中国科学院发明奖, 二等奖, 院级, 1997
（7） 中国科学院自然科学奖, 三等奖, 院级, 1992
（2） 何梁何利基金科学与技术进步奖, , 其他, 2008
（3） 中国科学院杰出科技成就奖, , 院级, 2007
（4） 国家科学技术进步奖, 一等奖, 国家级, 2006
（5） 上海市科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2005
（6） 中国科学院发明奖, 二等奖, 院级, 1997
（7） 中国科学院自然科学奖, 三等奖, 院级, 1992
专利成果
（ 1 ） 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036214
（ 2 ） 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036215
（ 3 ） 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070636
（ 4 ） 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070642
（ 5 ） 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070643
（ 6 ） 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070650
（ 7 ） 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070653
（ 8 ） 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151802.9
（ 9 ） 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151803.3
（ 10 ） 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151804.8
（ 11 ） 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910199624.x
（ 12 ） 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910055733.4
（ 13 ） 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053503.4
（ 14 ） 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053505.3
（ 15 ） 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL200510029225.0
（ 16 ） 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: ZL200410017788.3
（ 17 ） 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途, 2004, 第 5 作者, 专利号: ZL200410017239.6
（ 18 ） 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151253.4
（ 19 ） 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151252.6
（ 20 ） 绝缘体上锗硅衬底的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810200072.5
（ 21 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910200127.7
（ 22 ） 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201010532635.8
（ 23 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151806.7
（ 24 ） 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610024846.4
（ 25 ） 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610023694.6
（ 26 ） 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: L200510029396.3
（ 27 ） 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2003, 第 4 作者, 专利号: ZL03141886.4
（ 28 ） 鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL03129171.6
（ 29 ） 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115427.1
（ 30 ） 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115425.5
（ 31 ） 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115424.7
（ 32 ） 全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070633
（ 33 ） 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070645
（ 34 ） 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103208425B
（ 35 ） 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102790054B
（ 36 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021815B
（ 37 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021927B
（ 38 ） 一种可控石墨烯阵列的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103204455B
（ 39 ） 一种制备GOI的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103165511B
（ 40 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅 基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
（ 41 ） 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2 衬底材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 103137565B
（ 42 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
（ 43 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
（ 44 ） 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102737963B
（ 45 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
（ 46 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
（ 47 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
（ 48 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103137546B
（ 2 ） 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036215
（ 3 ） 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070636
（ 4 ） 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070642
（ 5 ） 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070643
（ 6 ） 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070650
（ 7 ） 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070653
（ 8 ） 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151802.9
（ 9 ） 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151803.3
（ 10 ） 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151804.8
（ 11 ） 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910199624.x
（ 12 ） 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910055733.4
（ 13 ） 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053503.4
（ 14 ） 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053505.3
（ 15 ） 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL200510029225.0
（ 16 ） 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: ZL200410017788.3
（ 17 ） 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途, 2004, 第 5 作者, 专利号: ZL200410017239.6
（ 18 ） 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151253.4
（ 19 ） 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151252.6
（ 20 ） 绝缘体上锗硅衬底的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810200072.5
（ 21 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910200127.7
（ 22 ） 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201010532635.8
（ 23 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151806.7
（ 24 ） 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610024846.4
（ 25 ） 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610023694.6
（ 26 ） 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: L200510029396.3
（ 27 ） 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2003, 第 4 作者, 专利号: ZL03141886.4
（ 28 ） 鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL03129171.6
（ 29 ） 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115427.1
（ 30 ） 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115425.5
（ 31 ） 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115424.7
（ 32 ） 全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070633
（ 33 ） 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070645
（ 34 ） 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103208425B
（ 35 ） 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102790054B
（ 36 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021815B
（ 37 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021927B
（ 38 ） 一种可控石墨烯阵列的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103204455B
（ 39 ） 一种制备GOI的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103165511B
（ 40 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅 基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
（ 41 ） 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2 衬底材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 103137565B
（ 42 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
（ 43 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119
（ 44 ） 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102737963B
（ 45 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
（ 46 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B
（ 47 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B
（ 48 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103137546B
出版信息
发表论文
（1） Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2017, 第 8 作者
（2） Radio-Frequency Characteristics of Partial Dielectric Removal HR-SOI and TR-SOI Substrates, Chinese Physics Letters, 2017, 第 7 作者
（3） Investigation on thermodynamics of ion-slicing of GaN and heterogeneously integrating high-quality GaN films on CMOS compatible Si(100) substrates, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 10 作者
（4） Defect formation in MeV H+ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND, 2017, 第 10 作者
（5） Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, Nano Research, 2017, 第 10 作者
（6） Defects induced by MeV H+ implantation for exfoliating of free-standing GaN film, Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2017, 第 10 作者
（7） Robust ultra-low-friction state of graphene via moire′ superlattice confinement, Nature Communications, 2017, 第 10 作者
（8） Exceptional transport property in a rolled-up germanium tube, Applied Physics Letters, 2017, 第 7 作者
（9） Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, Small, 2017, 第 9 作者
（10） Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength, Nano Letters, 2017, 第 9 作者
（11） Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 第 8 作者
（12） Routing Light with Ultrathin Nanostructures Beyond the Diffraction, Optics Express, 2016, 第 7 作者
（13） High-Efficiency Vertical Light Emission through a Compact Silicon Nanoantenna Array, ACS Photonics, 2016, 第 9 作者
（14） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2016, 第 8 作者
（15） Flexible and ion-conducting membrane electrolytes for solid-state lithium batteries: Dispersion of garnet nanoparticles in insulating polyethylene oxide, Nano Energy, 2016, 第 8 作者
（16） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016, 第 8 作者
（17） How Graphene Islands Are Unidirectionally Aligned on the Ge(110) Surface, Nano Letters, 2016, 第 10 作者
（18） Tunable, broadband and high-efficiency Si/Ge hot luminescence with plasmonic nanocavity array, Journal of Applied Physics, 2016, 第 8 作者
（19） SRAM cell with asymmetric pass-gate nMOSFETs for embedded memory applications, Electronics Letters, 2016, 第 5 作者
（20） Floating body gate cell with fast write speed for embedded memory applications, Electronics Letters, 2016, 第 6 作者
（21） Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
（22） Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, 第 4 作者
（23） Synthesis of layer-tunable graphene by ion implantation into Ni/Cu bilayer substrate, 13th International Conference on Plasma Based Ion Implantation Deposition （特邀报告），Buenos Aires, 2015, 第 3 作者
（24） Synthesis of layer-tunable graphene: A combined kinetic implantation and thermal ejection approach, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
（25） Determinis tic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, Small, 2015, 第 4 作者
（26） Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge-Based Nanoelectronics, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
（27） Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（28） Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
（29） CVD growth of graphene on NiTi alloy for enhanced biological activity, ACS Applied Materials and Interfaces, 2015, 第 4 作者
（30） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（31） Pattern transition from nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
（32） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（33） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, Applied Physics Letters, 2015, 第 4 作者
（34） Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, Microelectronic Engineering, 2015, 第 4 作者
（35） Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, 2015, 第 4 作者
（36） Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
（37） Strain redistribution in free-standing bridge structure released from strained silicon-on-insulator, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
（38） Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
（39） Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
（40） Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
（41） Study of Ge loss during Ge condensation process, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
（42） Three dimensional strain distribution of wrinkled silicon nanomembranes fabricated by rolling-transfer technique, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
（43） Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure, Thin Solid Films, 2013, 第 4 作者
（44） Direc t Growth of Graphene Film on Germanium Substrate, Scientific Reports, 2013, 第 4 作者
（45） Sharp crack formation in low fluence hydrogen implanted Si0.75Ge0.25/B doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
（46） Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD, Chinese Science Bulletin, 2012, 第 4 作者
（47） RBS-channeling in characterizing H-platelet and dynamic annealing effect in H-implanted Si, The 22nd International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry （特邀报告），Fort Worth, 2012, 第 3 作者
（48） Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles, Physical Review Letters, 2011, 第 11 作者
（49） Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micro pressure Sensor, SENSORS AND MATERIALS, 2011, 第 11 作者
（50） Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 11 作者
（51） Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy, Applied Physics Letters, 2011, 第 11 作者
（52） High mobility strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 11 作者
（53） Epitaxial growth of fully relaxed SiGe on SOI substrate, Applied Surface Science, 2011, 第 11 作者
（54） Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O implantation, Chinese Science Bulletin, 2011, 第 11 作者
（55） Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, Applied Physics Express, 2011, 第 11 作者
（56） Three-Dimensional Carrier Profi ling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Advanced Materials, 2010, 第 11 作者
（57） Millimeter-scale self-collimation in planar photonic crystals fabricated by CMOS technology, Optics Communications, 2010, 第 11 作者
（58） Self-Collimation in Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 11 作者
（59） Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers, Solid State Electronics, 2010, 第 2 作者
（60） Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 第 11 作者
（61） Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Nano Letters , 2010, 第 11 作者
（62） Self-Collimation In Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 3 作者
（63） TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap, Microelectronics Journal , 2009, 第 2 作者
（64） Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon-on-Insulator, Modern Physics Letters B, 2009, 第 3 作者
（65） Three-dimensional tapered spot-size converter based on (111) silicon-on-insulator, Photonics Technology Letters, 2009, 第 4 作者
（66） The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers, Applied Physics Letters, 2009, 第 11 作者
（67） Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI, Microelectronics Journal, 2008, 第 11 作者
（68） Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium, Applied Physics Letters, 2008, 第 11 作者
（69） Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics, Thin Solid Films, 2008, 第 11 作者
（70） Fabrication of thin film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2008, 第 11 作者
（71） Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes, Solid-State Electronics, 2008, 第 4 作者
（72） Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET, Chinese Physics C, 2008, 第 11 作者
（73） Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2008, 第 11 作者
（74） Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer, Semiconductor Science and Technology, 2008, 第 4 作者
（75） Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition, Applied Surface Science, 2008, 第 4 作者
（76） New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator, Chinese Journal of Semi- conductors, 2008, 第 11 作者
（2） Radio-Frequency Characteristics of Partial Dielectric Removal HR-SOI and TR-SOI Substrates, Chinese Physics Letters, 2017, 第 7 作者
（3） Investigation on thermodynamics of ion-slicing of GaN and heterogeneously integrating high-quality GaN films on CMOS compatible Si(100) substrates, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 10 作者
（4） Defect formation in MeV H+ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND, 2017, 第 10 作者
（5） Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, Nano Research, 2017, 第 10 作者
（6） Defects induced by MeV H+ implantation for exfoliating of free-standing GaN film, Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2017, 第 10 作者
（7） Robust ultra-low-friction state of graphene via moire′ superlattice confinement, Nature Communications, 2017, 第 10 作者
（8） Exceptional transport property in a rolled-up germanium tube, Applied Physics Letters, 2017, 第 7 作者
（9） Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, Small, 2017, 第 9 作者
（10） Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength, Nano Letters, 2017, 第 9 作者
（11） Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 第 8 作者
（12） Routing Light with Ultrathin Nanostructures Beyond the Diffraction, Optics Express, 2016, 第 7 作者
（13） High-Efficiency Vertical Light Emission through a Compact Silicon Nanoantenna Array, ACS Photonics, 2016, 第 9 作者
（14） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2016, 第 8 作者
（15） Flexible and ion-conducting membrane electrolytes for solid-state lithium batteries: Dispersion of garnet nanoparticles in insulating polyethylene oxide, Nano Energy, 2016, 第 8 作者
（16） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016, 第 8 作者
（17） How Graphene Islands Are Unidirectionally Aligned on the Ge(110) Surface, Nano Letters, 2016, 第 10 作者
（18） Tunable, broadband and high-efficiency Si/Ge hot luminescence with plasmonic nanocavity array, Journal of Applied Physics, 2016, 第 8 作者
（19） SRAM cell with asymmetric pass-gate nMOSFETs for embedded memory applications, Electronics Letters, 2016, 第 5 作者
（20） Floating body gate cell with fast write speed for embedded memory applications, Electronics Letters, 2016, 第 6 作者
（21） Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
（22） Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, 第 4 作者
（23） Synthesis of layer-tunable graphene by ion implantation into Ni/Cu bilayer substrate, 13th International Conference on Plasma Based Ion Implantation Deposition （特邀报告），Buenos Aires, 2015, 第 3 作者
（24） Synthesis of layer-tunable graphene: A combined kinetic implantation and thermal ejection approach, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
（25） Determinis tic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, Small, 2015, 第 4 作者
（26） Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge-Based Nanoelectronics, Advanced Functional Materials, 2015, 第 4 作者
（27） Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（28） Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
（29） CVD growth of graphene on NiTi alloy for enhanced biological activity, ACS Applied Materials and Interfaces, 2015, 第 4 作者
（30） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（31） Pattern transition from nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
（32） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, Applied Surface Science, 2015, 第 4 作者
（33） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, Applied Physics Letters, 2015, 第 4 作者
（34） Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, Microelectronic Engineering, 2015, 第 4 作者
（35） Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, 2015, 第 4 作者
（36） Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate, Journal of Materials Chemistry B, 2015, 第 4 作者
（37） Strain redistribution in free-standing bridge structure released from strained silicon-on-insulator, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
（38） Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
（39） Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
（40） Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer, Scientific Reports, 2014, 第 4 作者
（41） Study of Ge loss during Ge condensation process, Thin Solid Films, 2014, 第 4 作者
（42） Three dimensional strain distribution of wrinkled silicon nanomembranes fabricated by rolling-transfer technique, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
（43） Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure, Thin Solid Films, 2013, 第 4 作者
（44） Direc t Growth of Graphene Film on Germanium Substrate, Scientific Reports, 2013, 第 4 作者
（45） Sharp crack formation in low fluence hydrogen implanted Si0.75Ge0.25/B doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure, Applied Physics Letters, 2013, 第 4 作者
（46） Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD, Chinese Science Bulletin, 2012, 第 4 作者
（47） RBS-channeling in characterizing H-platelet and dynamic annealing effect in H-implanted Si, The 22nd International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry （特邀报告），Fort Worth, 2012, 第 3 作者
（48） Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles, Physical Review Letters, 2011, 第 11 作者
（49） Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micro pressure Sensor, SENSORS AND MATERIALS, 2011, 第 11 作者
（50） Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 11 作者
（51） Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy, Applied Physics Letters, 2011, 第 11 作者
（52） High mobility strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 11 作者
（53） Epitaxial growth of fully relaxed SiGe on SOI substrate, Applied Surface Science, 2011, 第 11 作者
（54） Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O implantation, Chinese Science Bulletin, 2011, 第 11 作者
（55） Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, Applied Physics Express, 2011, 第 11 作者
（56） Three-Dimensional Carrier Profi ling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Advanced Materials, 2010, 第 11 作者
（57） Millimeter-scale self-collimation in planar photonic crystals fabricated by CMOS technology, Optics Communications, 2010, 第 11 作者
（58） Self-Collimation in Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 11 作者
（59） Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers, Solid State Electronics, 2010, 第 2 作者
（60） Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 第 11 作者
（61） Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Nano Letters , 2010, 第 11 作者
（62） Self-Collimation In Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 3 作者
（63） TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap, Microelectronics Journal , 2009, 第 2 作者
（64） Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon-on-Insulator, Modern Physics Letters B, 2009, 第 3 作者
（65） Three-dimensional tapered spot-size converter based on (111) silicon-on-insulator, Photonics Technology Letters, 2009, 第 4 作者
（66） The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers, Applied Physics Letters, 2009, 第 11 作者
（67） Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI, Microelectronics Journal, 2008, 第 11 作者
（68） Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium, Applied Physics Letters, 2008, 第 11 作者
（69） Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics, Thin Solid Films, 2008, 第 11 作者
（70） Fabrication of thin film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2008, 第 11 作者
（71） Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes, Solid-State Electronics, 2008, 第 4 作者
（72） Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET, Chinese Physics C, 2008, 第 11 作者
（73） Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2008, 第 11 作者
（74） Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer, Semiconductor Science and Technology, 2008, 第 4 作者
（75） Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition, Applied Surface Science, 2008, 第 4 作者
（76） New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator, Chinese Journal of Semi- conductors, 2008, 第 11 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 半导体材料, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
参与会议
（1）Integration of LaLuO3/TiN Gate Stack in Strained-SiGe p-MOSFETs W. Yu, B. Zhang, Q.T. Zhao, J.-M. Hartmann, D. Buca, A. Nichau, J.M. J. Lopes, J.Schubert 2010-12-01
（2）Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer Wei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL 2008-10-06
（3）Industrial SOI Technology by Ion Implantation Xi Wang 2008-08-31
（4）Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning process Wei X, Zhang M, Wang X, Chen M 2008-07-28
（2）Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer Wei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL 2008-10-06
（3）Industrial SOI Technology by Ion Implantation Xi Wang 2008-08-31
（4）Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning process Wei X, Zhang M, Wang X, Chen M 2008-07-28
