中国科学院微电子研究所刘明 女 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-18 来源：研招办
科院考研推荐链接：
研究领域
从事微电子科学技术领域，主要涉及存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085209-集成电路工程
080902-电路与系统
085209-集成电路工程
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
集成电路技术
集成电路技术
教育背景
1998-06--1999-11 中科院半导体研究所/微电子中心 博士后
1995-09--1998-05 北京航空航天大学 博士
1985-09--1988-06 合肥工业大学 硕士
1981-09--1985-07 合肥工业大学 学士
1995-09--1998-05 北京航空航天大学 博士
1985-09--1988-06 合肥工业大学 硕士
1981-09--1985-07 合肥工业大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历
2000-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
社会兼职
2017-11-26-今,IEEE, Fellow
2016-01-01-今,the EDS Newsletter, Regional Editor
2016-01-01-今,IEEE EDS Beijing Chapter, 主席
2015-01-01-今,国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员,
2014-01-01-今,中国真空学会, 理事
2013-01-01-今,中国科学, 编委
2011-01-01-今,IEEE Electron Devices Society, Distinguished Lecturer
2011-01-01-今,Applied Physics A, 编辑
2010-12-01-今,无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问,
2008-06-06-今,中科院科学院科学出版社基金,
2008-04-01-今,“纳米科学技术大系”编委会,
2007-01-01-今,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会,
2006-09-01-今,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会, 第一届理事会名誉理事长
2002-11-01-今,中国材料研究学会青年委员会,
2016-01-01-今,the EDS Newsletter, Regional Editor
2016-01-01-今,IEEE EDS Beijing Chapter, 主席
2015-01-01-今,国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员,
2014-01-01-今,中国真空学会, 理事
2013-01-01-今,中国科学, 编委
2011-01-01-今,IEEE Electron Devices Society, Distinguished Lecturer
2011-01-01-今,Applied Physics A, 编辑
2010-12-01-今,无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问,
2008-06-06-今,中科院科学院科学出版社基金,
2008-04-01-今,“纳米科学技术大系”编委会,
2007-01-01-今,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会,
2006-09-01-今,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会, 第一届理事会名誉理事长
2002-11-01-今,中国材料研究学会青年委员会,
教授课程
半导体存储器技术
专利与奖励
奖励信息
（1） 2017年度何梁何利基金科学与技术进步奖（电子信息技术奖）, 一等奖, 其他, 2017
（2） 氧化物阻变存储器机理与性能调控, 二等奖, 国家级, 2016
（3） 阻变存储器机理与性能调控, 一等奖, 省级, 2015
（4） 极大规模集成电路关键技术研究集体, , 院级, 2014
（5） 阻变存储器及集成的基础研究, 二等奖, 省级, 2014
（6） 高精度微纳结构掩模制造核心技术, 二等奖, 国家级, 2013
（7） 中国真空学会“中国真空科技成就奖(莱宝奖)”, , 其他, 2012
（8） 2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”, , 研究所（学校）, 2011
（9） 2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师”, , 研究所（学校）, 2011
（10） 微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用, 一等奖, 省级, 2010
（11） 移动通讯用滤波器关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2009
（12） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 二等奖, 国家级, 2007
（13） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 一等奖, 省级, 2006
（14） 亚30nm CMOS器件及其关键技术, 二等奖, 国家级, 2005
（15） 27nm CMOS器件, 一等奖, 省级, 2004
（16） 0.18um的集成电路工艺技术, 二等奖, 省级, 2002
（17） 纳米硅薄膜微结构与物性研究, 三等奖, 部委级, 1999
（2） 氧化物阻变存储器机理与性能调控, 二等奖, 国家级, 2016
（3） 阻变存储器机理与性能调控, 一等奖, 省级, 2015
（4） 极大规模集成电路关键技术研究集体, , 院级, 2014
（5） 阻变存储器及集成的基础研究, 二等奖, 省级, 2014
（6） 高精度微纳结构掩模制造核心技术, 二等奖, 国家级, 2013
（7） 中国真空学会“中国真空科技成就奖(莱宝奖)”, , 其他, 2012
（8） 2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”, , 研究所（学校）, 2011
（9） 2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师”, , 研究所（学校）, 2011
（10） 微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用, 一等奖, 省级, 2010
（11） 移动通讯用滤波器关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2009
（12） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 二等奖, 国家级, 2007
（13） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 一等奖, 省级, 2006
（14） 亚30nm CMOS器件及其关键技术, 二等奖, 国家级, 2005
（15） 27nm CMOS器件, 一等奖, 省级, 2004
（16） 0.18um的集成电路工艺技术, 二等奖, 省级, 2002
（17） 纳米硅薄膜微结构与物性研究, 三等奖, 部委级, 1999
专利成果
（ 1 ） 光存储单元、光存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076540.4
（ 2 ） 铁电型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076414.9
（ 3 ） 一种光学传感器及其内部的成像器件, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022327.5
（ 4 ） 一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110005463.3
（ 5 ） 具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110090889.3
（ 6 ） 有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076731.0
（ 7 ） 一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置 , 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110021108.5
（ 8 ） 纳米晶浮栅存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022339.8
（ 9 ） 非挥发性电阻转变存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022467.2
（ 10 ） 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110023200.5
（ 11 ） 一种多值非挥发存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110067070.5
（ 12 ） 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110090926.0
（ 13 ） 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110090834.2
（ 14 ） 复合存储单元和存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110046327.9
（ 15 ） 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076733.X
（ 16 ） 编程电阻存储单元的方法和装置, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110006817.6
（ 17 ） 有机场效应晶体管存储器的编程方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110065340.9
（ 18 ） 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200710176930.2
（ 19 ） 一种存储器器件及其阵列, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026089.X
（ 20 ） 一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026103.6
（ 21 ） 双栅电荷俘获存储器及其制作方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026182.0
（ 22 ） 隧穿二极管整流器件及其制造方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026070.5
（ 23 ） 一种CTS2电荷泵, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210017759.1
（ 24 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210030512.3
（ 25 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026223.6
（ 26 ） 一种去除硅纳米晶的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210029850.5
（ 27 ） 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200510008008.3
（ 28 ） 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200510056279.6
（ 29 ） 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200510056280.9
（ 30 ） 一种在LEdit中绘制矢量字符的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227484.8
（ 31 ） 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 200510008009.8
（ 32 ） 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077369.1
（ 33 ） 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910078478.5
（ 34 ） 一种在线检测硅纳米晶形态的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910078556.1
（ 35 ） 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077725.X
（ 36 ） 一种对电阻存储器进行编程的电路, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 201010573813.1
（ 37 ） 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077526.9
（ 38 ） 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110138464.5
（ 39 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201210030512.3
（ 40 ） Semiconductor memory cell, device, and method for manufacturing the same, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 8927963 B2
（ 41 ） 3D Semiconductor memory device and manufacturing method thereof, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 9000409 B2
（ 42 ） Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 9,070,872 B2
（ 43 ） 非易失性三维半导体存储器件及制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110390695.5
（ 44 ） 一种敏感吸附膜及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110122282.9
（ 45 ） 阻变存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL 201110075379.9
（ 46 ） 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110131693.4
（ 47 ） 一种非挥发性存储器件的编程方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: ZL201110022638.1
（ 48 ） 三维层叠存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2011103767026
（ 49 ） 基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2014101025699
（ 50 ） 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 2014102216797
（ 51 ） 分裂栅存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101470956
（ 52 ） 一种电阻型存储器的制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2012103111168
（ 53 ） 非挥发性半导体存储器及其存储操作方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101047444
（ 54 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101375612
（ 55 ） 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2012102847600
（ 56 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2012100262236
（ 57 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011101374234
（ 58 ） 一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011101374840
（ 59 ） 一种闪存存储器及其制作方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011104100039
（ 2 ） 铁电型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076414.9
（ 3 ） 一种光学传感器及其内部的成像器件, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022327.5
（ 4 ） 一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110005463.3
（ 5 ） 具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110090889.3
（ 6 ） 有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076731.0
（ 7 ） 一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置 , 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110021108.5
（ 8 ） 纳米晶浮栅存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022339.8
（ 9 ） 非挥发性电阻转变存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022467.2
（ 10 ） 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110023200.5
（ 11 ） 一种多值非挥发存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110067070.5
（ 12 ） 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110090926.0
（ 13 ） 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110090834.2
（ 14 ） 复合存储单元和存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110046327.9
（ 15 ） 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110076733.X
（ 16 ） 编程电阻存储单元的方法和装置, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110006817.6
（ 17 ） 有机场效应晶体管存储器的编程方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110065340.9
（ 18 ） 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200710176930.2
（ 19 ） 一种存储器器件及其阵列, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026089.X
（ 20 ） 一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026103.6
（ 21 ） 双栅电荷俘获存储器及其制作方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026182.0
（ 22 ） 隧穿二极管整流器件及其制造方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026070.5
（ 23 ） 一种CTS2电荷泵, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210017759.1
（ 24 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210030512.3
（ 25 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210026223.6
（ 26 ） 一种去除硅纳米晶的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210029850.5
（ 27 ） 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200510008008.3
（ 28 ） 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200510056279.6
（ 29 ） 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200510056280.9
（ 30 ） 一种在LEdit中绘制矢量字符的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227484.8
（ 31 ） 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 200510008009.8
（ 32 ） 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077369.1
（ 33 ） 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910078478.5
（ 34 ） 一种在线检测硅纳米晶形态的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910078556.1
（ 35 ） 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077725.X
（ 36 ） 一种对电阻存储器进行编程的电路, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 201010573813.1
（ 37 ） 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910077526.9
（ 38 ） 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110138464.5
（ 39 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201210030512.3
（ 40 ） Semiconductor memory cell, device, and method for manufacturing the same, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 8927963 B2
（ 41 ） 3D Semiconductor memory device and manufacturing method thereof, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 9000409 B2
（ 42 ） Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 9,070,872 B2
（ 43 ） 非易失性三维半导体存储器件及制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110390695.5
（ 44 ） 一种敏感吸附膜及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110122282.9
（ 45 ） 阻变存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL 201110075379.9
（ 46 ） 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110131693.4
（ 47 ） 一种非挥发性存储器件的编程方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: ZL201110022638.1
（ 48 ） 三维层叠存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2011103767026
（ 49 ） 基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2014101025699
（ 50 ） 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 2014102216797
（ 51 ） 分裂栅存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101470956
（ 52 ） 一种电阻型存储器的制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2012103111168
（ 53 ） 非挥发性半导体存储器及其存储操作方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101047444
（ 54 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2011101375612
（ 55 ） 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2012102847600
（ 56 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2012100262236
（ 57 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011101374234
（ 58 ） 一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011101374840
（ 59 ） 一种闪存存储器及其制作方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2011104100039
