中国科学院物理所 杜小龙 男 汉族
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-19 来源：研招办
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研究领域
高效晶硅硅太阳能电池新工艺及产业应用
教育背景
学位
北京理工大学 19950901--19990220 博士
出国学习工作
1999-2002日本国立千叶大学光电子技术研究中心博士后，从事宽禁带半导体ZnO、GaN等材料及其光电子器件的制备和物性研究工作。
工作经历
工作简历
2008/1-2011/12 （每年2个月）挪威奥斯陆大学材料科学和纳米技术研究中心访问教授（Visiting professorship),从事ZnO半导体缺陷与物性的合作研究，并与Andrej Kuznetsov教授合作指导研究生。由挪威国研究理事会项目资助（FRINAT “UnderstandingZnO” project）。
2005/7－ 至今： 中国科学院物理研究所研究员、博士生导师（2006.2起）、清洁能源中心副主任（2006.2起）、北京凝聚态物理国家实验室研究组长(2007.1起)。
主要研究内容包括ZnO基薄膜材料与纳米材料制备、物性研究以及光电子器件和太阳电池研制，新型氧化物材料和器件探索。
2002/7－2005/6：中国科学院物理研究所，副研究员
1999/9－2002/7：日本千叶大学光电子技术研究中心，博士后
1992/7－1999/7：北京理工大学应用物理系，助教、讲师
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
授权专利
1. 杜小龙、王喜娜、曾兆权、袁洪涛、梅增霞、薛其坤、贾金锋：一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200610064977.5, 授权公告日：2008年10月1日.
2. 李含冬;杜小龙;梅增霞;曾兆权;袁洪涛;王喜娜;董 靖;张天冲;薛其坤:一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置, 专利号：200610113604.2，授权公告日：2008年12月10日.
3. 郑浩，杜小龙，薛其坤，贾金锋，顾长志：一种氧化锌薄膜的刻蚀方法，专利号：200510002695.8，授权公告日：2007年1月10日.
4. 杜小龙，薛其坤，英敏菊，梅增霞，曾兆权，郑浩：在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200410071047.3, 授权公告日：2007年1月10日.
5. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，梅增霞，英敏菊，曾兆权，郑浩，袁洪涛：一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法，专利号：200410086325.2，授权公告日：2007年2月28日.
6. 杜小龙、曾兆权、袁洪涛、薛其坤、贾金锋、李含冬、王喜娜：一种用于提炼高纯材料的高真空原位精练装置，专利号：200510105687.6，授权公告日：2007年2月28日.
7. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，郑浩：一种在铝酸镁衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200510064653.7，授权公告日：2007年4月4日.
8. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，梅增霞，郑浩：含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法，专利号：200510063056.2，授权公告日：2007年5月23日.
9. 杜小龙、袁洪涛、曾兆权、薛其坤、贾金锋、王喜娜、李含冬：一种高纯材料的高真空原位两步精练方法，专利号：200510105454.6，授权公告日：2007年5月23日.
10. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，张泽，刘玉资，英敏菊，郑浩：一种在铝酸镁衬底上制备高质量锌极性ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200510069276.6，授权公告日：2007年7月25日.
1. 杜小龙、王喜娜、曾兆权、袁洪涛、梅增霞、薛其坤、贾金锋：一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200610064977.5, 授权公告日：2008年10月1日.
2. 李含冬;杜小龙;梅增霞;曾兆权;袁洪涛;王喜娜;董 靖;张天冲;薛其坤:一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置, 专利号：200610113604.2，授权公告日：2008年12月10日.
3. 郑浩，杜小龙，薛其坤，贾金锋，顾长志：一种氧化锌薄膜的刻蚀方法，专利号：200510002695.8，授权公告日：2007年1月10日.
4. 杜小龙，薛其坤，英敏菊，梅增霞，曾兆权，郑浩：在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200410071047.3, 授权公告日：2007年1月10日.
5. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，梅增霞，英敏菊，曾兆权，郑浩，袁洪涛：一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法，专利号：200410086325.2，授权公告日：2007年2月28日.
6. 杜小龙、曾兆权、袁洪涛、薛其坤、贾金锋、李含冬、王喜娜：一种用于提炼高纯材料的高真空原位精练装置，专利号：200510105687.6，授权公告日：2007年2月28日.
7. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，郑浩：一种在铝酸镁衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200510064653.7，授权公告日：2007年4月4日.
8. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，梅增霞，郑浩：含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法，专利号：200510063056.2，授权公告日：2007年5月23日.
9. 杜小龙、袁洪涛、曾兆权、薛其坤、贾金锋、王喜娜、李含冬：一种高纯材料的高真空原位两步精练方法，专利号：200510105454.6，授权公告日：2007年5月23日.
10. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，张泽，刘玉资，英敏菊，郑浩：一种在铝酸镁衬底上制备高质量锌极性ZnO单晶薄膜的方法，专利号：200510069276.6，授权公告日：2007年7月25日.
出版信息
发表论文
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6. Ying Min-Ju, Zhang Ping, and Du Xiao-Long: First-principle study of Mg adsorption on Si(111) surfaces, Chinese Physics B, 18, 0275 (2009)
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8. 崔秀芝 张天冲 梅增霞 刘章龙 刘尧平 郭阳 苏希玉 薛其坤 杜小龙: 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响, 物理学报 58, 309 (2009).
9. Ding Lan, Yuren Wang, Xiaolong Du, Zengxia Mei, Qikun Xue, Ke Wang, Xiaodong Han, and Ze Zhang: Large Scale Fabrication of Periodical Bowl-like Micropatterns of Single Crystal ZnO, Crystal Growth & Design 8, 2912 (2008).
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11. X. Z. Cui, T. C. Zhang, Z. X. Mei*, Z. L. Liu, Y. P. Liu, Y. Guo, Q. K. Xue and X. L. Du: Growth of single crystalline ZnO film with two-dimensional periodic structure on Si (111) substrate by molecular beam epitaxy, J. Crystal Growth 310, 5428 (2008).
12. X. N. Wang, Y. Wang, Z. X. Mei, J. Dong, Z. Q. Zeng, H. T. Yuan,T. C. Zhang, X. L. Du, J. F. Jia, Q. K. Xue, X. N. Zhang, Z. Zhang, Z. F. Li and W. Lu: Low-temperature engineering for high-quality epitaxy of ZnO film on Si(111) substrate, Appl. Phys. Lett. 90, 151912 (2007).
13. Z. Q. Zeng, Y. Z. Liu, X. L. Du*, H. T. Yuan, Z. X. Mei, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang: Surface modification of MgAl2O4 (111) for growth of high-quality ZnO epitaxial films, Appl. Phys. Lett. 90, 081911 (2007)
14. H.D. Li, X.N. Zhang, Z.X. Mei, X.L. Du, Q.K. Xue, Z. Zhang:Epitaxial growth of CaO films on MgO(001) surface: strain relaxation at the CaO/MgO heterointerface, J. Appl. Phys. (communication) 102, 046103 (2007)
15. Y. Wang, X. N. Wang, Z. X. Mei, X. L. Du, J. Zou, J. F. Jia, Q. K. Xue, X. N. Zhang, Z. Zhang: Epitaxial orientation of Mg2Si(110) thin film on Si(111) substrate, J. Appl. Phys. (communication) 102, 126102 (2007)
16. H.D. Li, X.N. Zhang, Z. Zhang, Z.X. Mei, X.L. Du, Q.K. Xue: Structure stability of epitaxial MgO-CaO solid-solution films: effect of diffusion, J. Appl. Phys. (communication), 101, 106102 (2007).
17. S.J. Young, L.W. Ji, T.H. Fang, S.J. Chang, Y.K. Su, X.L. Du: ZnO ultraviolet photodiodes with Pd contact electrodes, Acta Materialia 55, 329(2007).
18. Z. X. Mei, X. L. Du, Y. Wang, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. T. Yuan, J. F. Jia, and Q. K. Xue: Tri-buffer process: a new approach to obtain high-quality ZnO epitaxial films on sapphire substrates, J. Electron. Mater., 36, 452(2007)
19. H. Zheng, X. L. Du, Q. Luo, J. F. Jia, C. Z. Gu, and Q. K. Xue: Wet chemical etching of ZnO film by aqueous acidic salt, Thin Solid Films 515, 3967–3970 (2007).
20. S.J. Young , L.W. Ji , S.J. Chang, S.H. Liang, K.T. Lam, T.H. Fang, K.J. Chen, X.L. Du, Q.K. Xue: ZnO-based MIS photodetectors, Sensors and Actuators A 135, 529–533 (2007).
21. S. J. Young, L. W. Ji, S. J. Chang, and X. L. Du:ZnO Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodiodes with Au Contacts, J.Electrochem. Soc., 154, H26-H29 (2007).
22. H. T. Yuan, Z. Q. Zeng, Z. X. Mei, X. L. Du, J. F. Jia, Q. K. Xue: Surfactant effects of lithium on molecular beam epitaxy of ZnO, J. Phys.: Condensed Matter, 19, 482001 (2007).
23. 王勇，袁洪涛，杜小龙，梅增霞，曾兆权，邹进，贾金锋，薛其坤，张泽: Mg预处理蓝宝石衬底法制备的Zn极性ZnO外延薄膜的结构研究, 电子显微学报, 26(5), 405-410 (2007).
24. YUAN Hong-Tao, LIU Yu-Zi, DU Xiao-Long, ZENG Zhao-Quan, MEI Zeng-Xia, WANG Yong, JIA Jin-Feng，XUE Qi-Kun, ZHANG Ze: Controlled growth of Zn-polar ZnO films on MgO-modified a-Al2O3(0001) surface, Chin. Phys. Lett. 24, 2408 (2007).
25. D. Lagarde, L. Lombez, A. Balocchi, P. Renucci, H. Carrère, T. Amand, X. Marie, Z. X. Mei, X. L. Du, and Q. K. Xue: Exciton spin dynamics in ZnO epilayers, phys. stat. sol. (c) 4, 472- 474 (2007).
26. S.J. Young , S.J. Chang, Y. P. Chen, S.H. Liang, L.W. Ji, K.T. Lam, X. L. Du, Q. K. Xue and Y. S. Sun: ZnO metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Iridium contact electrodes, IET Optoelectron. 1, 135 (2007).
27. 王喜娜，梅增霞，王勇，杜小龙，张晓娜，贾金锋，薛其坤，张泽，硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制，电子显微学报，26(6), 570-575(2007).
28. Yu Zi Liu, Z. Q. Zeng, H.T. Yuan, X. L. Du, X. D. Han, Q. K. Xue, Z Zhang: Inversion domain boundary in ZnO film, Philosophical Magazine Letters, 87, 687-693(2007).
29. Y. Wang, Z. X. Mei, H. T. Yuan, X. L. Du, J. Zou, J. F. Jia, Q. K. Xue and Z. Zhang: Effect of MgO in ZnO films grown on nitrided sapphires, J. Crystal Growth, 305, 74-77 (2007).
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10. D. Lagarde, A. Balocchi, P. Renucci, H. Carrère, F. Zhao, T. Amand, X. Marie, Z. X. Mei, X. L. Du, and Q. K. Xue: Exciton and hole spin dynamics in ZnO investigated by time-resolved photoluminescence experiments, Phys. Rev. B 78, 033203 (2008).
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