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中国科学院物理研究所胡凤霞女博导

作者：科大科院考研网发表时间：2019-12-24 来源：研招办

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研究领域

主要研究方向:

（1）金属间化合物的结构、磁性、磁热效应及相关机理；
（2）强关联体系复杂氧化物薄膜及异质结的磁电输运性质；

目前的研究展望:

（1）针对金属间化合物/氧化物中磁晶耦合、电声耦合对磁热效应的影响，研究自旋、晶格、电子熵变之间的关联耦合和共振增强的条件；

（2）金属间化合物晶格负热膨胀和零膨胀研究；

（3）场效应、动态（静态）晶格应变对强关联复杂氧化物薄膜体系自旋、电荷/轨道有序以及自旋相关输运特性的影响；

（4）非稀土（或少稀土）永磁薄膜及晶格应变等对其永磁特性影响。

招生信息

毕业博士研究生3名。目前，在读博士研究生 3 名，硕博连读生2名。拟每年招收 1-2 名硕博连读生或者博士生。

招生专业

070205-凝聚态物理
080502-材料学

招生方向

金属间化合物的结构、磁性、磁热效应及相关机理研究
强关联体系复杂氧化物薄膜及异质结的磁输运特性

教育背景

2002-12--2006-08 香港大学博士后
1999-09--2002-08 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室博士生

学历

学位

工作经历

工作简历

2014-06~现在, 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室, 主任
2006-08~现在, 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室, 副研究员、研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励

奖励信息

（1）陈嘉庚技术科学奖, , 国家级, 2014
（2）国家自然科学奖, 二等奖, 国家级, 2012
（3）北京市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2010

专利成果

（ 1 ）半导体场效应结构、及其制备方法和用途, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN102544093B
（ 2 ）稀土提纯中间产物制备的La(Fe,Si)13基磁性材料, 制备方法和用途, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN2012102404439
（ 3 ）一种具有大熵变的MnCoGe基铁磁马氏体相变材料及制备方法和用途, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN 2012103697992
（ 4 ）具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN102101793A
（ 5 ）一种稀土-镍材料及其制备方法和用途, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102864356B
（ 6 ） Bonded La(Fe,Si)13-based magnetocaloric materials, preparation method and uses thereof, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/075662
（ 7 ） La(Fe,Si)13-based first-order magnetocaloric materials with small hysteresis loss and its preparation method and uses thereof, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/083420

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