中国科学院微电子研究所 霍宗亮 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-25 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
集成电路先导工艺技术
集成电路先导工艺技术
教育背景
1994-09--2003-07 北京大学 本、硕、博士学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2010-03~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2003-09~2010-02,韩国.三星半导体研发中心, 高级工程师
2003-09~2010-02,韩国.三星半导体研发中心, 高级工程师
社会兼职
教授课程
存储器工艺与器件技术
集成电路制造工艺与设备
集成电路制造工艺与设备
专利与奖励
奖励信息
（1） 成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖, 其他, 2018
（2） 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2017
（3） 2017年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2017
（4） 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展, 研究所（学校）, 2016
（5） 2016年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2016
（6） 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 一等奖, 市地级, 2016
（7） 2015年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2015
（8） 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果奖一等奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2015
（9） 2015年度中国科学院“****”终期评估优秀, 院级, 2015
（10） 2014年度中国科学院杰出科技成果奖, 院级, 2014
（2） 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2017
（3） 2017年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2017
（4） 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展, 研究所（学校）, 2016
（5） 2016年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2016
（6） 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 一等奖, 市地级, 2016
（7） 2015年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2015
（8） 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果奖一等奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2015
（9） 2015年度中国科学院“****”终期评估优秀, 院级, 2015
（10） 2014年度中国科学院杰出科技成果奖, 院级, 2014
专利成果
（ 1 ） Semiconductor memory device having DRAM cell mode and non-volatile memory cell mode and operation method therefore, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US2008/0048239 A1
（ 2 ） Charge trap flash memory device and memory card and system including the same, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 2008/0246078 A1
（ 3 ） 一种垂直型NROM存储结构及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010573812.7
（ 4 ） 三维半导体存储器件及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010599602.5
（ 5 ） semiconductor memory devices and methods of fabricating the same, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: US 7274066 B2
（ 6 ） 阻变型随机存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110026944.2
（ 7 ） 非挥发型存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110026927.9
（ 8 ） Non-volatile memory device and methods of fabricating the same, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: US2009/0239367 A1
（ 9 ） 一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010251514.6
（ 10 ） 具有高速低压操作的高可靠性分裂栅非挥发性存储器结构, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010235059.0
（ 11 ） 具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010574007.6
（ 12 ） 阻变随机存储装置及系统, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010599603.X
（ 13 ） 制备三维半导体存储器件的方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010611894.X
（ 14 ） 电荷俘获型栅堆栈及存储单元, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110050091.6
（ 15 ） 一种非挥发性存储器件的编程方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110022638.1
（ 16 ） 非易失性三维半导体存储器件及制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110390695.5
（ 17 ） 三维层叠存储器及其制造方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110376702.6
（ 18 ） 非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010527589.2
（ 19 ） 一种半导体存储单元、器件及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010541156.2
（ 20 ） 半导体存储单元、器件及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201010541159.6
（ 21 ） 半导体存储器及其制造方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110412811.9
（ 22 ） 半导体存储器及其制造方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210035735.9
（ 23 ） 一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法, 发明, 2013, 第 1 作者,
