半导体研究所 金鹏 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-25 来源：研招办
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研究领域
（1）低维结构半导体材料与器件
（2）半导体金刚石材料与器件
（3）宽禁带半导体材料物理
（4）光谱技术与光谱仪器
（2）半导体金刚石材料与器件
（3）宽禁带半导体材料物理
（4）光谱技术与光谱仪器
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
半导体低维结构材料和量子器件，宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料、器件和物理
教育背景
1996-09--2001-06 南开大学 理学博士学位
1992-09--1996-07 南开大学 理学学士学位
1992-09--1996-07 南开大学 理学学士学位
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
工作经历
工作简历
2009-01--今 中国科学院半导体研究所 研究员
2003-09--2008-12 中国科学院半导体研究所 副研究员
2001-07--2003-09 中国科学院半导体研究所 博士后
2003-09--2008-12 中国科学院半导体研究所 副研究员
2001-07--2003-09 中国科学院半导体研究所 博士后
社会兼职
2015-09--今 中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会，委员
2012-01--今 中国电子学会半导体与集成技术分会，高级会员
2012-01--今 中国电子学会半导体与集成技术分会，高级会员
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（1） 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610064883.8
（2） 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610002667.0
（3） 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，发明，2009，第2作者，专利号：200910236703.3
（4） 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910236704.8
（5） 量子点光调制器有源区结构，发明，2010，第2作者，专利号：200710175972.4
（6） 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，发明，2010，第2作者，专利号：200610088947.8
（7） 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管，发明，2011，第3作者，专利号：201110041984.4
（8） 深紫外激光光致发光光谱仪，发明，2012，第1作者，专利号：201110087894.9
（9） 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110361688.2
（10） 滤波式波长可调谐外腔激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310071764.5
（11） 掺杂半导体材料生长设备及方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210223493.6
（12） 一种锁模外腔半导体激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310121425.3
（13） 条纹相机反射式离轴光学耦合装置，发明，2012，第1作者，专利号：ZL 201110133353.5
（14） 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，发明，2013，第1作者，专利号：201310193627.9
（2） 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610002667.0
（3） 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，发明，2009，第2作者，专利号：200910236703.3
（4） 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910236704.8
（5） 量子点光调制器有源区结构，发明，2010，第2作者，专利号：200710175972.4
（6） 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，发明，2010，第2作者，专利号：200610088947.8
（7） 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管，发明，2011，第3作者，专利号：201110041984.4
（8） 深紫外激光光致发光光谱仪，发明，2012，第1作者，专利号：201110087894.9
（9） 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110361688.2
（10） 滤波式波长可调谐外腔激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310071764.5
（11） 掺杂半导体材料生长设备及方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210223493.6
（12） 一种锁模外腔半导体激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310121425.3
（13） 条纹相机反射式离轴光学耦合装置，发明，2012，第1作者，专利号：ZL 201110133353.5
（14） 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，发明，2013，第1作者，专利号：201310193627.9
出版信息
