中国科学院半导体研究所李文昌 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-27 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
高可靠数模混合集成电路的技术研究
可编程芯片的技术研究
高温集成电路的技术研究
可编程芯片的技术研究
高温集成电路的技术研究
教育背景
2007-03--2011-06 电子科技大学 工学博士学位
2003-09--2006-06 电子科技大学 工学硕士学位
1994-09--1998-06 辽宁大学 工学学士学位
2003-09--2006-06 电子科技大学 工学硕士学位
1994-09--1998-06 辽宁大学 工学学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历
2014-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员/研究员
2013-10~2014-10,中国科学院自动化研究所, 副研究员
2011-10~2013-09,北京大学, 博士后
2009-10~2011-09,成都成电硅海科技股份有限公司, 总经理
2007-03~2011-06,电子科技大学, 工学博士学位
2003-09~2006-06,电子科技大学, 工学硕士学位
2000-06~2007-02,成都华微电子科技有限公司, 副总裁
1998-07~2000-05,中国电子科技集团公司第四十七研究所, 工程师
1994-09~1998-06,辽宁大学, 工学学士学位
2013-10~2014-10,中国科学院自动化研究所, 副研究员
2011-10~2013-09,北京大学, 博士后
2009-10~2011-09,成都成电硅海科技股份有限公司, 总经理
2007-03~2011-06,电子科技大学, 工学博士学位
2003-09~2006-06,电子科技大学, 工学硕士学位
2000-06~2007-02,成都华微电子科技有限公司, 副总裁
1998-07~2000-05,中国电子科技集团公司第四十七研究所, 工程师
1994-09~1998-06,辽宁大学, 工学学士学位
社会兼职
教授课程
集成电路可靠性设计与实践
专利与奖励
奖励信息
（1） 复杂可编程逻辑器件CPLD系列, 二等奖, 部委级, 2008
（2） 突出贡献科技工作者, 一等奖, 部委级, 2007
（3） HWD1472复杂可编程逻辑器件, 三等奖, 部委级, 2005
（2） 突出贡献科技工作者, 一等奖, 部委级, 2007
（3） HWD1472复杂可编程逻辑器件, 三等奖, 部委级, 2005
专利成果
（ 1 ） HIGH VOLTAGE LDMOS DEVICE, 2013, 第 3 作者, 专利号: US 8,598,658 B2
（ 2 ） 温度传感器芯片测试校准的温度环境的构建方法及系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710029842.3
（ 3 ） 一种防止MOS管过载的保护电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201711067439.6
（ 4 ） 温度传感器芯片的测试校准系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201720048505.4
（ 5 ） 可编程控制多晶熔丝电路及包含该电路的集成电路, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201620135943.X
（ 6 ） 电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810121063.0
（ 7 ） 线电压补偿电路、控制器及LED驱动电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810104530.9
（ 2 ） 温度传感器芯片测试校准的温度环境的构建方法及系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710029842.3
（ 3 ） 一种防止MOS管过载的保护电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201711067439.6
（ 4 ） 温度传感器芯片的测试校准系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201720048505.4
（ 5 ） 可编程控制多晶熔丝电路及包含该电路的集成电路, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201620135943.X
（ 6 ） 电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810121063.0
（ 7 ） 线电压补偿电路、控制器及LED驱动电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810104530.9
