中国科学院半导体研究所 刘舒曼 女 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-03-10 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
080501-材料物理与化学
080501-材料物理与化学
招生方向
低维半导体红外激光器与探测器
低维半导体材料生长
低维半导体材料生长
教育背景
1997-09--2000-06 中国科学院半导体研究所 博士
1990-09--1997-06 武汉理工大学 学士、硕士
1990-09--1997-06 武汉理工大学 学士、硕士
学历
学位
工作经历
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2007-11~2014-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2005-10~2007-10,日本东京大学, 物性研究所研究员
2003-10~2005-10,日本姬路工业大学, JSPS研究员
2000-09~2003-10,北京交通大学, 博士后，副教授
1997-09~2000-06,中国科学院半导体研究所, 博士
1990-09~1997-06,武汉理工大学, 学士、硕士
2007-11~2014-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2005-10~2007-10,日本东京大学, 物性研究所研究员
2003-10~2005-10,日本姬路工业大学, JSPS研究员
2000-09~2003-10,北京交通大学, 博士后，副教授
1997-09~2000-06,中国科学院半导体研究所, 博士
1990-09~1997-06,武汉理工大学, 学士、硕士
社会兼职
教授课程
红外光电子技术
红外光电材料与物理
红外光电子材料物理
红外光电材料与物理
红外光电子材料物理
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 红外光电探测器及其制造方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510300412.1
（ 2 ） 电子输运通道为斜跃迁-微带型的量子级联红外探测器, 2018, 第 3 作者, 专利号: ZL 2016 1 0948314.0
（ 3 ） 一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910187930.5
（ 2 ） 电子输运通道为斜跃迁-微带型的量子级联红外探测器, 2018, 第 3 作者, 专利号: ZL 2016 1 0948314.0
（ 3 ） 一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910187930.5
出版信息
发表论文
（1） Demonstration of High-Power and Stable Single-Mode in a Quantum Cascade Laser Using Buried Sampled Grating, Nanoscale Research Letters, 2019-04, 第 9 作者
（2） InAs-based interband cascade lasers at 4.0 μm operating at room temperature, Journal of Semiconductors, 2018, 第 11 作者
（3） Defect Formation and Elimination During the Growth of GaSb Epilayer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（4） Influence of Quantum Dots on Response of Quantum Cascade Detector, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（5） Long Wavelength Infrared Quantum Cascade Detector, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（6） Normal-incidence quantum cascade detector coupled by nanopore structure, Applied Physics Express, 2018, 第 5 作者
（7） Quantum dot quantum cascade photodetector using a laser structure, CHINESE OPTICS LETTERS, 2017, 第 11 作者
（8） Double wavelength intersubband electroluminescence from InGaAs/InAlAs quantum cascade structure, Applied Physics Express, 2016, 第 11 作者
（9） Structural and optical properties of InAs/InAsSb superlattices grown by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 11 作者
（10） Growth and characterization of InAs/InAsSb superlattices by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 2 作者
（11） Temperature independent infrared responsivity of a quantum dot quantum cascade photodetector, Applied Physics Letters, 2016, 第 3 作者
（12） Metal organicchemicalvapordepositiongrowthandcharacterization of InAs/GaSbtype-IIsuperlatticesonGaAs(001)substrates, MaterialsLetters, 2015, 第 2 作者
（13） Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, J Crystal Growth, 2012, 第 2 作者
（14） Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InAs/GaSb Superlattice on GaAs substrate and Doping Studies of p-GaSb and n-InAs, Chin. Phys. Lett., 2012, 第 2 作者
（15） Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces, Nanoscale Research Lett, 2012, 第 2 作者
（16） Formation of AsxSb1-x mixing interfaces in InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, EPL, 2012, 第 2 作者
（17） Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas m semi-polar AlGaN/GaN heterostructuresobility in, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 4 作者
（18） Formation mechanism and characterization of black silicon surface by a single-step wet-chemical process, J. Nanosci. Nanotechnol., 2012, 第 2 作者
（19） Effect of Interface Bond Type on the Structure of InAs/GaSb Superlattices Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Chin. Phys. Lett., 2011, 第 2 作者
（20） Luminescence Nanocrystals for Solar Cell Enhancement, J. Nanosci. Nanotechnol. , 2010, 第 1 作者
（21） Luminescent Silicon Nanoparticles Formed in Solution (review), J. Nanosci. Nanotechnol., 2008, 第 1 作者
（2） InAs-based interband cascade lasers at 4.0 μm operating at room temperature, Journal of Semiconductors, 2018, 第 11 作者
（3） Defect Formation and Elimination During the Growth of GaSb Epilayer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（4） Influence of Quantum Dots on Response of Quantum Cascade Detector, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（5） Long Wavelength Infrared Quantum Cascade Detector, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
（6） Normal-incidence quantum cascade detector coupled by nanopore structure, Applied Physics Express, 2018, 第 5 作者
（7） Quantum dot quantum cascade photodetector using a laser structure, CHINESE OPTICS LETTERS, 2017, 第 11 作者
（8） Double wavelength intersubband electroluminescence from InGaAs/InAlAs quantum cascade structure, Applied Physics Express, 2016, 第 11 作者
（9） Structural and optical properties of InAs/InAsSb superlattices grown by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 11 作者
（10） Growth and characterization of InAs/InAsSb superlattices by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors, MATERIALS LETTERS, 2016, 第 2 作者
（11） Temperature independent infrared responsivity of a quantum dot quantum cascade photodetector, Applied Physics Letters, 2016, 第 3 作者
（12） Metal organicchemicalvapordepositiongrowthandcharacterization of InAs/GaSbtype-IIsuperlatticesonGaAs(001)substrates, MaterialsLetters, 2015, 第 2 作者
（13） Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, J Crystal Growth, 2012, 第 2 作者
（14） Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InAs/GaSb Superlattice on GaAs substrate and Doping Studies of p-GaSb and n-InAs, Chin. Phys. Lett., 2012, 第 2 作者
（15） Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces, Nanoscale Research Lett, 2012, 第 2 作者
（16） Formation of AsxSb1-x mixing interfaces in InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, EPL, 2012, 第 2 作者
（17） Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas m semi-polar AlGaN/GaN heterostructuresobility in, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 4 作者
（18） Formation mechanism and characterization of black silicon surface by a single-step wet-chemical process, J. Nanosci. Nanotechnol., 2012, 第 2 作者
（19） Effect of Interface Bond Type on the Structure of InAs/GaSb Superlattices Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Chin. Phys. Lett., 2011, 第 2 作者
（20） Luminescence Nanocrystals for Solar Cell Enhancement, J. Nanosci. Nanotechnol. , 2010, 第 1 作者
（21） Luminescent Silicon Nanoparticles Formed in Solution (review), J. Nanosci. Nanotechnol., 2008, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） MOCVD 生长InAs/GaSbII 类超晶格中界面形成动力学及其, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 2 ） 红外量子级联激光材料和探测材料基础研究, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 3 ） 2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备基础研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
（ 4 ） 高工作温度长波红外量子级联探测器关键技术研究, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
（ 5 ） 3-4微米锑化物单管与阵列激光器, 主持, 国家级, 2018-01--2022-12
（ 6 ） 中红外激光器及其与III-V族MOSFET器件集成, 主持, 国家级, 2019-08--2023-06
（ 2 ） 红外量子级联激光材料和探测材料基础研究, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 3 ） 2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备基础研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
（ 4 ） 高工作温度长波红外量子级联探测器关键技术研究, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
（ 5 ） 3-4微米锑化物单管与阵列激光器, 主持, 国家级, 2018-01--2022-12
（ 6 ） 中红外激光器及其与III-V族MOSFET器件集成, 主持, 国家级, 2019-08--2023-06
