中国科学院 半导体研究所 导师彭红玲介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-03-20 来源：研招办
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彭红玲 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： hlpeng@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号半导体研究所
邮政编码：
部门/实验室：固态光电信息技术实验室
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体探测器、太阳电池、激光器等有源器件
教育背景
2003-09--2007-03 中国科学院半导体研究所 博士
学历
学位
工作经历
工作简历
2007-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-09~2007-03,中国科学院半导体研究所, 博士
2000-07~2003-08,上海贝尔-阿尔卡特公司, 通信工程师
2003-09~2007-03,中国科学院半导体研究所, 博士
2000-07~2003-08,上海贝尔-阿尔卡特公司, 通信工程师
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408182.4
（ 2 ） 一种中红外波段调制器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910035208.x
（ 3 ） 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408181.X
（ 4 ） 半导体激光器驱动电路, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310155864.6
（ 5 ） 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010595700.1
（ 6 ） 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010595707.3
（ 2 ） 一种中红外波段调制器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910035208.x
（ 3 ） 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408181.X
（ 4 ） 半导体激光器驱动电路, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310155864.6
（ 5 ） 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010595700.1
（ 6 ） 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010595707.3
出版信息
发表论文
（1） The Research of InSb on Si Avalanche Photodiode, SPIE, 2019, 第 1 作者
（2） The Development on High Sensitivity Silicon Avalanche Photodiode Array, SPIE, 2017, 第 1 作者
（3） 键合的双结太阳能电池研究, 太阳能学报, 2015, 第 1 作者
（4） 直接键合的三结太阳能电池研究, 物理学报, 2014, 第 1 作者
（2） The Development on High Sensitivity Silicon Avalanche Photodiode Array, SPIE, 2017, 第 1 作者
（3） 键合的双结太阳能电池研究, 太阳能学报, 2015, 第 1 作者
（4） 直接键合的三结太阳能电池研究, 物理学报, 2014, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 高速发端调制研究, 主持, 部委级, 2016-06--2021-05
（ 2 ） 高填充因子高响应度 APD 阵列研制, 主持, 研究所（学校）, 2019-06--2024-05
（ 2 ） 高填充因子高响应度 APD 阵列研制, 主持, 研究所（学校）, 2019-06--2024-05
参与会议
