2023年中科大中国科大929半导体物理考研真题及答案
作者：科大科院考研网 发表时间：2023-03-06 来源：科大科院考研网
中国科学技术大学
2023年硕士研究生招生考试试题
招生单位代码及名称：10358中国科学技术大学
考试科目代码及名称：929半导体物理
是否可使用计算器：□是 ☑否
一、选择题（每小题5分，共30分）
1、位于价带顶附近的空穴是一种（ ）。
A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为正的假想粒子
C.带正电的有效质量为负的粒子 D.带正电的有效质量为负的假想粒子
2.GaAs的导带极值点位于布里渊区的（ ）。
A.中心 B.<100>方向边界处
C.<110>方向边界处 D.<111>方向边界处
3.处于低温弱电离区的P型掺杂半导体，其费米能级的位置（ ）。
A.高于受主能级 B.低于受主能级 C.等于受主能级 D.不确定
4.已知一块半导体的载统子寿命为10μs，在光照作用下产生了非平衡载统子并持续了一段时间，然后光照突然停止，30μs后，非平衡载流子数量将衰减到光照停止前的（ ）。
