中国科学院微电子研究所考研导师卜建辉介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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卜建辉 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： bujianhui@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：硅器件中心
研究领域
半导体器件模型与参数提取、半导体器件可靠性
招生信息
微电子学与固定电子学
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件物理，器件模型，器件可靠性
教育背景
2006-09--2011-07 中国科学院微电子研究所 博士
2002-09--2006-07 西安交通大学 学士
2002-09--2006-07 西安交通大学 学士
工作经历
2016-03~至今,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2013.11~至今,中国科学院微电子研究所,硅器件中心模型部部长
2011-07~2016-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
社会兼职
2010-10-01-今,IEEE会员,
2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员,
2008-05-04-2017-05-04,中国科学院微电子所团委委员,
教授课程
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010217274.8
（ 2 ） 一种SOI NMOS总剂量辐照提参建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010251985.7
（ 3 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210248270.5
（ 4 ） 一种PN结结深测试方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212571.2
（ 5 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 6 ） 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201320833795.5
（ 7 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212516.3
（ 8 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210123082.X
（ 9 ） SOI H型MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210536882.4
（ 10 ） 一种SOI MOSFET的热阻提取方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310339890.4
（ 11 ） 一种BTS型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410167764.X
（ 12 ） 一种H型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410163198.5
（ 13 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/081781
（ 14 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410040388.8
（ 15 ） 一种电路器件版图, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201621086618.5
（ 16 ） 一种MOSVAR的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510425236.4
（ 17 ） 一种SOI基的PN结建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510580438.6
（ 18 ） 一种验证后仿真提取文件正确性的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510605490.2
（ 19 ） 一种SOI MOSFET器件的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510303560.9
（ 20 ） 一种限制器件模型适用温度范围的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510351261.2
（ 21 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/076252
（ 22 ） 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610166646.6
（ 23 ） 一种热阻获取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610632860.6
（ 24 ） 一种SOI MOS器件的热阻提取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201710021085.5
（ 2 ） 一种SOI NMOS总剂量辐照提参建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201010251985.7
（ 3 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210248270.5
（ 4 ） 一种PN结结深测试方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212571.2
（ 5 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 6 ） 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201320833795.5
（ 7 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201210212516.3
（ 8 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210123082.X
（ 9 ） SOI H型MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210536882.4
（ 10 ） 一种SOI MOSFET的热阻提取方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310339890.4
（ 11 ） 一种BTS型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410167764.X
（ 12 ） 一种H型栅SOI器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410163198.5
（ 13 ） SOI MOS器件的建模方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/081781
（ 14 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410040388.8
（ 15 ） 一种电路器件版图, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201621086618.5
（ 16 ） 一种MOSVAR的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510425236.4
（ 17 ） 一种SOI基的PN结建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510580438.6
（ 18 ） 一种验证后仿真提取文件正确性的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510605490.2
（ 19 ） 一种SOI MOSFET器件的建模方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510303560.9
（ 20 ） 一种限制器件模型适用温度范围的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510351261.2
（ 21 ） MOS器件的STI应力效应建模方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/076252
（ 22 ） 一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610166646.6
（ 23 ） 一种热阻获取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610632860.6
（ 24 ） 一种SOI MOS器件的热阻提取方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201710021085.5
出版信息
发表论文
（1） 一种新型隧穿晶体管, 半导体技术, 2019, 第 1 作者
（2） A low leakage current Tunneling-FET based on SOI, S3S, 2018, 第 1 作者
（3） Total dose effects on 28nm FD-SOI CMOS transistors, S3S, 2018, 通讯作者
（4） Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant, JJAP, 2018, 通讯作者
（5） Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs, Microelectronics Reliability, 2018, 第 8 作者
（6） A Simulation Modelfor the PN Junction Based on SOI, ICSICT, 2016, 第 1 作者
（7） Analysis and optimization of Tunneling-FET based onSOI, ICSICT, 2016, 第 2 作者
（8） The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs, 半导体学报, 2014, 第 1 作者
（9） A simulation model for PDSOI MOSFETs, ICSICT, 2014, 第 1 作者
（2） A low leakage current Tunneling-FET based on SOI, S3S, 2018, 第 1 作者
（3） Total dose effects on 28nm FD-SOI CMOS transistors, S3S, 2018, 通讯作者
（4） Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant, JJAP, 2018, 通讯作者
（5） Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs, Microelectronics Reliability, 2018, 第 8 作者
（6） A Simulation Modelfor the PN Junction Based on SOI, ICSICT, 2016, 第 1 作者
（7） Analysis and optimization of Tunneling-FET based onSOI, ICSICT, 2016, 第 2 作者
（8） The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs, 半导体学报, 2014, 第 1 作者
（9） A simulation model for PDSOI MOSFETs, ICSICT, 2014, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） XXX器件模型研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
（ 2 ） XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12
（ 3 ） 耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所（学校）, 2017-10--2019-09
（ 4 ） XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
（ 5 ） 典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所（学校）, 2018-07--2019-03
（ 6 ） 超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
（ 2 ） XXXSOI工艺研究, 参与, 国家级, 2017-03--2019-12
（ 3 ） 耐高温器件机理及实现关键技术, 主持, 研究所（学校）, 2017-10--2019-09
（ 4 ） XXXSOI技术研究, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
（ 5 ） 典型电路模块元器件电离总剂量效应数字化设计, 主持, 研究所（学校）, 2018-07--2019-03
（ 6 ） 超低温环境典型元器件失效机理及特性评价技术研究, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
参与会议
（1）A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 2018-10-16
合作情况
项目协作单位
指导学生
现指导学生
王可为 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
莫文韬 硕士研究生 085209-集成电路工程
张华龙 硕士研究生 085208-电子与通信工程
高冕风 硕士研究生 085209-集成电路工程
李垌帅 硕士研究生 085209-集成电路工程
