中国科学院微电子研究所 韩郑生 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-01 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程
085209-集成电路工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术
集成电路设计技术
集成电路设计技术
教育背景
1985-09--1988-06 西安交通大学 研究生毕业/工学硕士
1979-09--1983-06 西安交通大学 本科毕业/工学学士
1979-09--1983-06 西安交通大学 本科毕业/工学学士
学历
学位
工作经历
工作简历
1999-06~2000-06,香港科技大学, 访问学者
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
社会兼职
2013-09-01-2017-12-31,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 学术委员会委员
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事
教授课程
半导体工艺与制造技术
半导体制造技术
半导体制造技术
专利与奖励
奖励信息
（1） 抗辐照8kx8 SOI CMOS SRAM, 二等奖, 部委级, 2009
（2） 政府特殊津贴, , 国家级, 2007
（3） 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005
（4） 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
（2） 政府特殊津贴, , 国家级, 2007
（3） 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005
（4） 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
专利成果
（ 1 ） 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010251985.7
（ 2 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910305971.6
（ 3 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057921.6
（ 4 ） 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145101.X
（ 5 ） 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010531162.X
（ 6 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 7 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010531161.5
（ 8 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010217274.8
（ 9 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057936.2
（ 10 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810104230.7
（ 11 ） 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145308.7
（ 12 ） DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2
（ 13 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102339655B
（ 14 ） 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102522362B
（ 15 ） 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102903392B
（ 16 ） SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102982215B
（ 17 ） 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102903331B
（ 18 ） 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102866349B
（ 19 ） 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102437087B
（ 20 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102646147B
（ 21 ） SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102683416B
（ 22 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102708268B
（ 23 ） 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102593170B
（ 24 ） 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102244030B
（ 25 ） SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102789530B
（ 26 ） 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102738030B
（ 27 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102298655B
（ 28 ） 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102375896B
（ 29 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102495355B
（ 30 ） 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102306708B
（ 31 ） 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102394094B
（ 32 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102468332B
（ 33 ） 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102417300B
（ 34 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102236063B
（ 35 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102332467B
（ 36 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102054845B
（ 37 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102117797B
（ 38 ） 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101907719B
（ 39 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101964005B
（ 40 ） 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102118152B
（ 41 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101930051B
（ 42 ） 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101937091B
（ 43 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101276788B
（ 44 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101621009B
（ 45 ） 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101562188B
（ 46 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101635170B
（ 47 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101621064B
（ 48 ） 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101458337B
（ 49 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562140B
（ 50 ） 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515586B
（ 51 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562187B
（ 52 ） 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515588B
（ 53 ） 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100550118C
（ 54 ） 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN1178282C
（ 2 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910305971.6
（ 3 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057921.6
（ 4 ） 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145101.X
（ 5 ） 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010531162.X
（ 6 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157559.7
（ 7 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010531161.5
（ 8 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010217274.8
（ 9 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057936.2
（ 10 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810104230.7
（ 11 ） 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145308.7
（ 12 ） DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2
（ 13 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102339655B
（ 14 ） 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102522362B
（ 15 ） 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102903392B
（ 16 ） SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102982215B
（ 17 ） 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102903331B
（ 18 ） 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102866349B
（ 19 ） 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102437087B
（ 20 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102646147B
（ 21 ） SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102683416B
（ 22 ） MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102708268B
（ 23 ） 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102593170B
（ 24 ） 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102244030B
（ 25 ） SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102789530B
（ 26 ） 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102738030B
（ 27 ） 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102298655B
（ 28 ） 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102375896B
（ 29 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102495355B
（ 30 ） 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102306708B
（ 31 ） 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102394094B
（ 32 ） 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102468332B
（ 33 ） 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102417300B
（ 34 ） 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102236063B
（ 35 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102332467B
（ 36 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102054845B
（ 37 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102117797B
（ 38 ） 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101907719B
（ 39 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101964005B
（ 40 ） 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102118152B
（ 41 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101930051B
（ 42 ） 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101937091B
（ 43 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101276788B
（ 44 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101621009B
（ 45 ） 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101562188B
（ 46 ） 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101635170B
（ 47 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101621064B
（ 48 ） 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101458337B
（ 49 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562140B
（ 50 ） 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515586B
（ 51 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562187B
（ 52 ） 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515588B
（ 53 ） 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100550118C
（ 54 ） 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN1178282C
出版信息
发表论文
（1） DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度, DCIV Technique for Extracting BackGate Interface Traps Density in Non-irradiated and Irradiated PDSOI Devices, 微电子学与计算机, 2018, 第 6 作者
（2） A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2018, 第 5 作者
（3） Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method, Applied Physics A, 2018, 第 7 作者
（4） Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation, Semiconductor Science and Technology, 2018, 其他（合作组作者）
（5） Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment, Microelectronics Reliability, 2018, 第 10 作者
（6） SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, 宇航学报, 2018, 通讯作者
（7） 金属氧化物半导体控制晶闸管的di /dt 优化, di /dt Optimization of the Metal Oxide Semiconductor Controlled Thyristor, 半导体技术, 2018, 第 3 作者
（8） 极端低温下SiGe HBT器件研究进展, Research Progress of SiGe HBTs Under Extremely Low Temperature, 微电子学, 2017, 第 4 作者
（9） The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 8 作者
（10） Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（11） A thru-reflect-line calibration for measuring the characteristics o f high Power LDMOS transistors, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（12） Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（13） Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon -on-insulator technology, Journal of Semiconductors, 2012, 通讯作者
（14） A new OLED SPICE model for pixel circuit simulation in OLED-on-silicon microdisplay design, Journal of Semiconductors, 2012, 通讯作者
（15） Analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron SRAM, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（16） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（17） PDSOI DTMOS for analog and RF application , Journal of Semiconductors, 2011, 第 4 作者
（18） Avalanche behavior of power MOSFETs under different temperature conditions, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（19） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（20） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（21） A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（22） Effects of total ionizing dose radiation on the 0.25μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（23） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（24） Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（25） Influence of Body Contact of SOI MOSFET on the Thermal Conductance of Device, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（26） Influence of Electron Irradiation on the Switching Speed in Insulated Gate Bipolar Transistors, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（27） 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究, 半导体技术, 2009, 通讯作者
（28） The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET, 半导体技术, 2009, 通讯作者
（29） otal Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOSFET Transistor, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者
（30） Back－Gate Effect of SOI LDMOSFETs, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 4 作者
（2） A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2018, 第 5 作者
（3） Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method, Applied Physics A, 2018, 第 7 作者
（4） Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation, Semiconductor Science and Technology, 2018, 其他（合作组作者）
（5） Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment, Microelectronics Reliability, 2018, 第 10 作者
（6） SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, 宇航学报, 2018, 通讯作者
（7） 金属氧化物半导体控制晶闸管的di /dt 优化, di /dt Optimization of the Metal Oxide Semiconductor Controlled Thyristor, 半导体技术, 2018, 第 3 作者
（8） 极端低温下SiGe HBT器件研究进展, Research Progress of SiGe HBTs Under Extremely Low Temperature, 微电子学, 2017, 第 4 作者
（9） The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 8 作者
（10） Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（11） A thru-reflect-line calibration for measuring the characteristics o f high Power LDMOS transistors, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（12） Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（13） Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon -on-insulator technology, Journal of Semiconductors, 2012, 通讯作者
（14） A new OLED SPICE model for pixel circuit simulation in OLED-on-silicon microdisplay design, Journal of Semiconductors, 2012, 通讯作者
（15） Analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron SRAM, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（16） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（17） PDSOI DTMOS for analog and RF application , Journal of Semiconductors, 2011, 第 4 作者
（18） Avalanche behavior of power MOSFETs under different temperature conditions, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（19） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（20） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（21） A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（22） Effects of total ionizing dose radiation on the 0.25μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（23） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（24） Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（25） Influence of Body Contact of SOI MOSFET on the Thermal Conductance of Device, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（26） Influence of Electron Irradiation on the Switching Speed in Insulated Gate Bipolar Transistors, Journal of Semiconductors, 2009, 通讯作者
（27） 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究, 半导体技术, 2009, 通讯作者
（28） The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET, 半导体技术, 2009, 通讯作者
（29） otal Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOSFET Transistor, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者
（30） Back－Gate Effect of SOI LDMOSFETs, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 4 作者
发表著作
（1） 半导体制造技术, Semiconductor Manuafacturing Technology, 电子工业出版社, 2004-04, 第 1 作者
（2） 芯片制造—半导体工艺制程实用教程, Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing, 电子工业出版社, 2010-08, 第 1 作者
（3） 抗辐射集成电路概论, Introduction to Radiation Hardened Integrated Circuit, 清华大学出版社, 2011-04, 第 1 作者
（4） 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 1 作者
（5） 空间单粒子效应-影响航天电子系统的危险因素, Sing Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 1 作者
（6） 现代电子系统软错误, Soft Errors in Modern Electronic Systems, 电子工业出版社, 2016-07, 第 1 作者
（2） 芯片制造—半导体工艺制程实用教程, Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing, 电子工业出版社, 2010-08, 第 1 作者
（3） 抗辐射集成电路概论, Introduction to Radiation Hardened Integrated Circuit, 清华大学出版社, 2011-04, 第 1 作者
（4） 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 1 作者
（5） 空间单粒子效应-影响航天电子系统的危险因素, Sing Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 1 作者
（6） 现代电子系统软错误, Soft Errors in Modern Electronic Systems, 电子工业出版社, 2016-07, 第 1 作者
科研活动
